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參數(shù)資料
| 型號： | K4R881869D |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | 256/288Mbit RDRAM(D-die) |
| 中文描述： | 256/288Mbit的RDRAM（深模） |
| 文件頁數(shù)： | 1/20頁 |
| 文件大小： | 311K |
| 代理商： | K4R881869D |
Direct RDRAM
K4R571669D/K4R881869D
Page -1
Version 1.4 July 2002
July 2002
Version 1.4
Direct RDRAM
TM
512K x 16/18bit x 32s banks
256/288Mbit RDRAM
(D-die)
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| K4R761869A-GCN1 | 576Mbit RDRAM (A-die) 1M x 18bit x 32s banks Direct RDRAMTM |
| K4R761869A-GCT9 | 576Mbit RDRAM (A-die) 1M x 18bit x 32s banks Direct RDRAMTM |
| K4R761869A-F | 576Mbit RDRAM (A-die) 1M x 18bit x 32s banks Direct RDRAMTM |
| K4R761869A-FbCcN1 | 576Mbit RDRAM (A-die) 1M x 18bit x 32s banks Direct RDRAMTM |
| K4R761869A-FCM8 | 576Mbit RDRAM (A-die) 1M x 18bit x 32s banks Direct RDRAMTM |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| K4R881869D-FCM8 | 制造商:Samsung Electro-Mechanics 功能描述:16M X 18 DIRECT RAMBUS DRAM, PBGA92 |
| K4R881869EFCT9 | 制造商:Samsung Semiconductor 功能描述: |
| K4R881869E-GCM8000 | 制造商:Samsung Semiconductor 功能描述:DRAM CHIP DIRECT RDRAM 288MBIT 2.5V 92PIN WBGA - Bulk |
| K4R881869E-GCM8T00 | 制造商:Samsung Semiconductor 功能描述:288MRDRAMDIRECT RDRAMX18WBGA - Tape and Reel |
| K4R881869E-GCT9000 | 制造商:Samsung Semiconductor 功能描述:288MRDRAMDIRECT RDRAMX18WBGA - Bulk |
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