參數(shù)資料
型號(hào)： K4R881869M-NbCcG6
廠商： SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD.
英文描述： 288Mbit RDRAM 512K x 18 bit x 2*16 Dependent Banks Direct RDRAMTM
中文描述： 288Mbit RDRAM的為512k × 18位× 2 * 16屬銀行直接RDRAMTM
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代理商： K4R881869M-NBCCG6
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Direct RDRAM
K4R881869M
Rev. 0.9 Jan. 2000
Preliminary
288Mbit RDRAM
512K x 18 bit x 2*16 Dependent Banks
Direct RDRAM
TM
Revision 0.9
January 2000
相關(guān)PDF資料
PDF描述
K4R881869M-NCK7 288Mbit RDRAM 512K x 18 bit x 2*16 Dependent Banks Direct RDRAMTM
K4R881869M-NCK8 288Mbit RDRAM 512K x 18 bit x 2*16 Dependent Banks Direct RDRAMTM
K4S280432A 128Mbit SDRAM 8M x 4Bit x 4 Banks Synchronous DRAM LVTTL
K4S280432C 128Mbit SDRAM 8M x 4Bit x 4 Banks Synchronous DRAM LVTTL
K4S280432F-UC 128Mb F-die SDRAM Specification 54 TSOP-II with Pb-Free (RoHS compliant)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
K4R881869M-NCK7 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:288Mbit RDRAM 512K x 18 bit x 2*16 Dependent Banks Direct RDRAMTM
K4R881869M-NCK8 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:288Mbit RDRAM 512K x 18 bit x 2*16 Dependent Banks Direct RDRAMTM
K4R881869M-NCK8000 制造商:Samsung SDI 功能描述:
K4S160822D 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:2Mx8 SDRAM 1M x 8bit x 2 Banks Synchronous DRAM LVTTL
K4S160822DT-G/F10 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:2Mx8 SDRAM 1M x 8bit x 2 Banks Synchronous DRAM LVTTL
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