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參數(shù)資料
| 型號： | K4R881869M-NbCcG6 |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | 288Mbit RDRAM 512K x 18 bit x 2*16 Dependent Banks Direct RDRAMTM |
| 中文描述： | 288Mbit RDRAM的為512k × 18位× 2 * 16屬銀行直接RDRAMTM |
| 文件頁數(shù)： | 63/64頁 |
| 文件大?。?/td> | 4084K |
| 代理商： | K4R881869M-NBCCG6 |
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Page 61
Direct RDRAM
K4R881869M
Rev. 0.9 Jan. 2000
Preliminary
Table Of Contents
Overview . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1
Features. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1
Key Timing Parameters/Part Numbers . . . . . . . . . . . 1
Pinouts and Definitions . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2
Pin Description. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3
Block Diagram . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4
General Description . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5
Packet Format . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .6,7
Field Encoding Summary. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .8,9
DQ Packet Timing . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 10
COLM Packet to D Packet Mapping . . . . . . . . . .10,11
ROW-to-ROW Packet Interaction . . . . . . . . . . . 12, 13
ROW-to-COL Packet Interaction . . . . . . . . . . . . . . . 13
COL-to-COL Packet Interaction. . . . . . . . . . . . . . . . 14
COL-to-ROW Packet Interaction . . . . . . . . . . . . . . . 15
ROW-to-ROW Examples . . . . . . . . . . . . . . . . . . .16,17
Row and Column Cycle Description . . . . . . . . . . . . 17
Precharge Mechanisms . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .18,19
Read Transaction - Example . . . . . . . . . . . . . . . . . . 20
Write Transaction - Example . . . . . . . . . . . . . . . . . . 21
Write/Retire - Examples. . . . . . . . . . . . . . . . . . . 22, 23
Interleaved Write - Example. . . . . . . . . . . . . . . . . . . 24
Interleaved Read - Example . . . . . . . . . . . . . . . . . . 25
Interleaved RRWW . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 25
Control Register Transactions . . . . . . . . . . . . . . . . . 26
Control Register Packets . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 27
Initialization . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .28-29
Control Register Summary. . . . . . . . . . . . . . . . . 30-37
Power State Management . . . . . . . . . . . . . . . . . 38-41
Refresh . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 42
Current and Temperature Control . . . . . . . . . . . . . . 43
Electrical Conditions . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 44
Timing Conditions . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .44-45
Electrical Characteristics . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 46
Timing Characteristics . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 46
RSL Clocking . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 47
RSL - Receive Timing . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 48
RSL - Transmit Timing. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 49
CMOS - Receive Timing . . . . . . . . . . . . . . . . . . .50-51
CMOS - Transmit Timing . . . . . . . . . . . . . . . . . . .52-53
RSL - Domain Crossing Window . . . . . . . . . . . . . . . 53
Timing Parameters. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 54
Absolute Maximum Ratings . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 55
I
DD
- Supply Current Profile . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 55
Capacitance and Inductance . . . . . . . . . . . . . . . .56-57
Center-Bonded
μ
BGA Package. . . . . . . . . . . . . . . . 58
Glossary of Terms . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .59-60
Copyright January 2000 Samsung Electronics.
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Direct Rambus and Direct RDRAM are trademarks of
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相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| K4R881869M-NCK7 | 288Mbit RDRAM 512K x 18 bit x 2*16 Dependent Banks Direct RDRAMTM |
| K4R881869M-NCK8 | 288Mbit RDRAM 512K x 18 bit x 2*16 Dependent Banks Direct RDRAMTM |
| K4S280432A | 128Mbit SDRAM 8M x 4Bit x 4 Banks Synchronous DRAM LVTTL |
| K4S280432C | 128Mbit SDRAM 8M x 4Bit x 4 Banks Synchronous DRAM LVTTL |
| K4S280432F-UC | 128Mb F-die SDRAM Specification 54 TSOP-II with Pb-Free (RoHS compliant) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| K4R881869M-NCK7 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:288Mbit RDRAM 512K x 18 bit x 2*16 Dependent Banks Direct RDRAMTM |
| K4R881869M-NCK8 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:288Mbit RDRAM 512K x 18 bit x 2*16 Dependent Banks Direct RDRAMTM |
| K4R881869M-NCK8000 | 制造商:Samsung SDI 功能描述: |
| K4S160822D | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:2Mx8 SDRAM 1M x 8bit x 2 Banks Synchronous DRAM LVTTL |
| K4S160822DT-G/F10 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:2Mx8 SDRAM 1M x 8bit x 2 Banks Synchronous DRAM LVTTL |
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