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參數(shù)資料
| 型號： | K4R881869M-NCK8 |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | 288Mbit RDRAM 512K x 18 bit x 2*16 Dependent Banks Direct RDRAMTM |
| 中文描述： | 288Mbit RDRAM的為512k × 18位× 2 * 16屬銀行直接RDRAMTM |
| 文件頁數(shù)： | 21/64頁 |
| 文件大?。?/td> | 4084K |
| 代理商： | K4R881869M-NCK8 |
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Page 19
Direct RDRAM
K4R881869M
Rev. 0.9 Jan. 2000
Preliminary
Figure 14: Offsets for Alternate Precharge Mechanisms
CTM/CFM
DQA8..0
DQB8..0
COL4
..COL0
..ROW0
T
0
T
4
T
8
T
12
T
1
T
5
T
9
T
13
T
2
T
6
T
10
T
14
T
3
T
7
T
11
T
15
T
16
T
20
T
24
T
28
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17
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21
T
25
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29
T
18
T
22
T
26
T
30
T
19
T
23
T
27
T
31
T
32
T
36
T
40
T
44
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33
T
37
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41
T
45
T
34
T
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T
35
T
39
T
43
T
47
CTM/CFM
DQA8..0
DQB8..0
COL4
..COL0
ROW2
..ROW0
T
0
T
4
T
8
T
12
T
1
T
5
T
9
T
13
T
2
T
6
T
10
T
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T
3
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18
T
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T
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T
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T
19
T
23
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27
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31
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34
T
38
T
42
T
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35
T
39
T
43
T
47
CTM/CFM
DQA8..0
DQB8..0
COL4
..COL0
ROW2
..ROW0
T
0
T
4
T
8
T
12
T
1
T
5
T
9
T
13
T
2
T
6
T
10
T
14
T
3
T
7
T
11
T
15
T
16
T
20
T
24
T
28
T
17
T
21
T
25
T
29
T
18
T
22
T
26
T
30
T
19
T
23
T
27
T
31
T
32
T
36
T
40
T
44
T
33
T
37
T
41
T
45
T
34
T
38
T
42
T
46
T
35
T
39
T
43
T
47
RD a1
ACT a0
RD a2
Q (a2)
Q (a1)
ACT b0
MSK (a2)
MSK (a1)
retire (a1)
t
OFFP
WR a1
D (a2)
D (a1)
ACT b0
ACT a0
Transaction a: RD
a0 = {Da,Ba,Ra}
a5 = {Da,Ba}
COLC Packet: RDA Precharge Offset
COLC Packet: WDA Precharge Offset
Transaction a: WR
a0 = {Da,Ba,Ra}
a1 = {Da,Ba,Ca1}
a2 = {Da,Ba,Ca2}
a5 = {Da,Ba}
COLX Packet: PREX Precharge Offset
RD a3
Q (a4)
Q (a3)
RDA a4
PRER a5
The RDA precharge is equivalent to a PRER command here
t
OFFP
PRER a5
The WRA precharge (triggered by the automatic retire) is equivalent to a PRER command here
WRA a2
retire (a2)
t
RTR
a3 = {Da,Ba,Ca3}
a4 = {Da,Ba,Ca4}
a1 = {Da,Ba,Ca1}
a2 = {Da,Ba,Ca2}
RD a1
ACT a0
RD a2
Q (a2)
Q (a1)
ACT b0
t
OFFP
Transaction a: RD
a0 = {Da,Ba,Ra}
a5 = {Da,Ba}
RD a3
Q (a4)
Q (a3)
PRER a5
The PREX precharge command is equivalent to a PRER command here
a3 = {Da,Ba,Ca3}
a4 = {Da,Ba,Ca4}
a1 = {Da,Ba,Ca1}
a2 = {Da,Ba,Ca2}
RD a4
PREX a5
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| K4S280432A | 128Mbit SDRAM 8M x 4Bit x 4 Banks Synchronous DRAM LVTTL |
| K4S280432C | 128Mbit SDRAM 8M x 4Bit x 4 Banks Synchronous DRAM LVTTL |
| K4S280432F-UC | 128Mb F-die SDRAM Specification 54 TSOP-II with Pb-Free (RoHS compliant) |
| K4S280432F-TCL75 | 128Mb F-die SDRAM Specification |
| K4S280432F-UL75 | 128Mb F-die SDRAM Specification 54 TSOP-II with Pb-Free (RoHS compliant) |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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| K4S160822D | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:2Mx8 SDRAM 1M x 8bit x 2 Banks Synchronous DRAM LVTTL |
| K4S160822DT-G/F10 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:2Mx8 SDRAM 1M x 8bit x 2 Banks Synchronous DRAM LVTTL |
| K4S160822DT-G/F7 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:2Mx8 SDRAM 1M x 8bit x 2 Banks Synchronous DRAM LVTTL |
| K4S160822DT-G/F8 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:2Mx8 SDRAM 1M x 8bit x 2 Banks Synchronous DRAM LVTTL |
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