- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄374277 > K4R881869M-NCK8 (SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD.) 288Mbit RDRAM 512K x 18 bit x 2*16 Dependent Banks Direct RDRAMTM PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | K4R881869M-NCK8 |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | 288Mbit RDRAM 512K x 18 bit x 2*16 Dependent Banks Direct RDRAMTM |
| 中文描述： | 288Mbit RDRAM的為512k × 18位× 2 * 16屬銀行直接RDRAMTM |
| 文件頁數(shù)： | 54/64頁 |
| 文件大?。?/td> | 4084K |
| 代理商： | K4R881869M-NCK8 |
第1頁第2頁第3頁第4頁第5頁第6頁第7頁第8頁第9頁第10頁第11頁第12頁第13頁第14頁第15頁第16頁第17頁第18頁第19頁第20頁第21頁第22頁第23頁第24頁第25頁第26頁第27頁第28頁第29頁第30頁第31頁第32頁第33頁第34頁第35頁第36頁第37頁第38頁第39頁第40頁第41頁第42頁第43頁第44頁第45頁第46頁第47頁第48頁第49頁第50頁第51頁第52頁第53頁當前第54頁第55頁第56頁第57頁第58頁第59頁第60頁第61頁第62頁第63頁第64頁
Page 52
Direct RDRAM
K4R881869M
Rev. 0.9 Jan. 2000
Preliminary
CMOS - Transmit Timing
Figure 58 is a timing diagram which shows the detailed
requirements for the CMOS output signals. The SIO0 signal
is driven once per t
CYCLE1
interval on the falling edge. The
clock-to-output window is t
Q1,MIN
/t
Q1,MAX.
The SCK and
SIO0 timing points are measured at the 50% level. The rise
and fall times of SIO0 are t
QR1
and t
QF1
, measured at the
20% and 80% levels.
Figure 58: CMOS Timing - Data Signals for Transmit
V
IH,CMOS
50%
V
IL,CMOS
80%
20%
SCK
SIO0
t
QR1
t
QF1
V
OH,CMOS
50%
V
OL,CMOS
80%
20%
t
Q1,MAX
V
IH,CMOS
50%
V
IL,CMOS
80%
20%
t
Q1,MIN
V
OH,CMOS
50%
V
OL,CMOS
80%
20%
SIO0
or
SIO1
t
DR1
t
DF1
t
QR1
t
QF1
t
PROP1,MAX
t
PROP1,MIN
SIO1
or
SIO0
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| K4S280432A | 128Mbit SDRAM 8M x 4Bit x 4 Banks Synchronous DRAM LVTTL |
| K4S280432C | 128Mbit SDRAM 8M x 4Bit x 4 Banks Synchronous DRAM LVTTL |
| K4S280432F-UC | 128Mb F-die SDRAM Specification 54 TSOP-II with Pb-Free (RoHS compliant) |
| K4S280432F-TCL75 | 128Mb F-die SDRAM Specification |
| K4S280432F-UL75 | 128Mb F-die SDRAM Specification 54 TSOP-II with Pb-Free (RoHS compliant) |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| K4R881869M-NCK8000 | 制造商:Samsung SDI 功能描述: |
| K4S160822D | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:2Mx8 SDRAM 1M x 8bit x 2 Banks Synchronous DRAM LVTTL |
| K4S160822DT-G/F10 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:2Mx8 SDRAM 1M x 8bit x 2 Banks Synchronous DRAM LVTTL |
| K4S160822DT-G/F7 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:2Mx8 SDRAM 1M x 8bit x 2 Banks Synchronous DRAM LVTTL |
| K4S160822DT-G/F8 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:2Mx8 SDRAM 1M x 8bit x 2 Banks Synchronous DRAM LVTTL |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。