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參數(shù)資料
| 型號： | K4R881869M |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | 288Mbit RDRAM 512K x 18 bit x 2*16 Dependent Banks Direct RDRAMTM |
| 中文描述： | 288Mbit RDRAM的為512k × 18位× 2 * 16屬銀行直接RDRAMTM |
| 文件頁數(shù)： | 57/64頁 |
| 文件大小： | 4084K |
| 代理商： | K4R881869M |
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Page 55
Direct RDRAM
K4R881869M
Rev. 0.9 Jan. 2000
Preliminary
Absolute Maximum Ratings
I
DD
- Supply Current Profile
Table 23: Absolute Maximum Ratings
Symbol
Parameter
Min
Max
Unit
V
I,ABS
Voltage applied to any RSL or CMOS pin with respect to Gnd
- 0.3
V
DD
+0.3
V
V
DD,ABS
, V
DDA,ABS
Voltage on VDD and VDDA with respect to Gnd
- 0.5
V
DD
+1.0
V
T
STORE
Storage temperature
- 50
100
°
C
Table 24: Supply Current Profile
I
DD
value
RDRAM blocks consuming power
a
Max
-45
-800
Max
-45
-711
Max
-53.3
-600
Unit
I
DD,PDN
Self-refresh only for INIT.LSR=0
TBD
TBD
TBD
μ
A
I
DD,NAP
T/RCLK-Nap
TBD
TBD
TBD
mA
I
DD,STBY
T/RCLK, ROW-demux
TBD
TBD
TBD
mA
I
DD,ATTN
T/RCLK, ROW-demux, COL-demux
TBD
TBD
TBD
mA
I
DD,ATTN-W
T/RCLK, ROW-demux,COL-demux,DQ-demux,1
WR-SenseAmp, 4
ACT-
Bank
TBD
TBD
TBD
mA
I
DD,ATTN-R
T/RCLK, ROW-demux,COL-demux,DQ-mux,1
RD-SenseAmp, 4
ACT-
Bank
TBD
TBD
TBD
mA
a. The CMOS interface consumes power in all power states.
b. This does not include the IOL sink current. The RDRAM dissipates IOL
VOL in each output driver when a logic one is driven.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| K4R881869M-NbCcG6 | 288Mbit RDRAM 512K x 18 bit x 2*16 Dependent Banks Direct RDRAMTM |
| K4R881869M-NCK7 | 288Mbit RDRAM 512K x 18 bit x 2*16 Dependent Banks Direct RDRAMTM |
| K4R881869M-NCK8 | 288Mbit RDRAM 512K x 18 bit x 2*16 Dependent Banks Direct RDRAMTM |
| K4S280432A | 128Mbit SDRAM 8M x 4Bit x 4 Banks Synchronous DRAM LVTTL |
| K4S280432C | 128Mbit SDRAM 8M x 4Bit x 4 Banks Synchronous DRAM LVTTL |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| K4R881869M-NBCCG6 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:288Mbit RDRAM 512K x 18 bit x 2*16 Dependent Banks Direct RDRAMTM |
| K4R881869M-NCK7 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:288Mbit RDRAM 512K x 18 bit x 2*16 Dependent Banks Direct RDRAMTM |
| K4R881869M-NCK8 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:288Mbit RDRAM 512K x 18 bit x 2*16 Dependent Banks Direct RDRAMTM |
| K4R881869M-NCK8000 | 制造商:Samsung SDI 功能描述: |
| K4S160822D | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:2Mx8 SDRAM 1M x 8bit x 2 Banks Synchronous DRAM LVTTL |
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