- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄374280 > K4S51153PF-YPF1L (SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD.) 8M x 16Bit x 4 Banks Mobile SDRAM in 54FBGA PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號(hào)： | K4S51153PF-YPF1L |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | 8M x 16Bit x 4 Banks Mobile SDRAM in 54FBGA |
| 中文描述： | 8米× 16 × 4銀行在54FBGA移動(dòng)SDRAM |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 6/12頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 108K |
| 代理商： | K4S51153PF-YPF1L |
K4S51153PF - Y(P)F
September 2004
6
Mobile SDRAM
1.8V
13.9K
10.6K
Output
20pF
VOH (DC) = VDDQ - 0.2V, IOH = -0.1mA
VOL (DC) = 0.2V, IOL = 0.1mA
Vtt=0.5 x VDDQ
50
Output
20pF
Z0=50
Figure 2. AC Output Load Circuit
Figure 1. DC Output Load Circuit
AC OPERATING TEST CONDITIONS
(V
DD
= 1.7V
～
1.95V, T
A
= -25 to 70
°
C for Commercial)
Parameter
Value
Unit
AC input levels (Vih/Vil)
0.9 x V
DDQ
/ 0.2
V
Input timing measurement reference level
0.5 x V
DDQ
V
Input rise and fall time
tr/tf = 1/1
ns
Output timing measurement reference level
0.5 x V
DDQ
V
Output load condition
See Figure 2
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| K4S51153LF | 8M x 16Bit x 4 Banks Mobile SDRAM in 54FBGA |
| K4S511633C | 32Mx16 Mobile SDRAM 54CSP 1/CS |
| K4S511633C-N | 32Mx16 Mobile SDRAM 54CSP 1/CS |
| K4S511633C-P | 32Mx16 Mobile SDRAM 54CSP 1/CS |
| K4S511633C-YL | 32Mx16 Mobile SDRAM 54CSP 1/CS |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| K4S511632B-CL75 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:512Mb B-die SDRAM Specification |
| K4S511632B-TC75 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:512Mb B-die SDRAM Specification |
| K4S511632B-TCL75 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:512Mb B-die SDRAM Specification |
| K4S511632B-UC75 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:512Mb B-die SDRAM Specification |
| K4S511632C | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:DDP 512Mbit SDRAM |
發(fā)布緊急采購(gòu)，3分鐘左右您將得到回復(fù)。