參數(shù)資料
型號(hào): K4S511633F-F75
廠商: SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD.
英文描述: 8M x 16Bit x 4 Banks Mobile SDRAM
中文描述: 8米× 16 × 4銀行移動(dòng)SDRAM
文件頁(yè)數(shù): 3/12頁(yè)
文件大小: 114K
代理商: K4S511633F-F75
K4S511633F-Y(P)C/L/F
September 2004
3
Mobile-SDRAM
54Ball(6x9) FBGA
1
2
3
7
8
9
A
VSS
DQ15
VSSQ
VDDQ
DQ0
VDD
B
DQ14
DQ13
VDDQ
VSSQ
DQ2
DQ1
C
DQ12
DQ11
VSSQ
VDDQ
DQ4
DQ3
D
DQ10
DQ9
VDDQ
VSSQ
DQ6
DQ5
E
DQ8
NC
VSS
VDD
LDQM
DQ7
F
UDQM
CLK
CKE
CAS
RAS
WE
G
A12
A11
A9
BA0
BA1
CS
H
A8
A7
A6
A0
A1
A10
J
VSS
A5
A4
A3
A2
VDD
Pin Name
Pin Function
CLK
System Clock
CS
Chip Select
CKE
Clock Enable
A
0
~ A
12
Address
BA
0
~ BA
1
Bank Select Address
RAS
Row Address Strobe
CAS
Column Address Strobe
WE
Write Enable
L(U)DQM
Data Input/Output Mask
DQ
0
~
15
Data Input/Output
V
DD
/V
SS
Power Supply/Ground
V
DDQ
/V
SSQ
Data Output Power/Ground
Symbol
Min
Typ
Max
A
1.00
1.10
1.20
A
1
E
0.27
0.32
0.37
-
11.5
-
E
1
D
-
6.40
-
-
10.0
-
D
1
e
-
6.40
-
-
0.80
-
b
0.45
0.50
0.55
z
-
-
0.10
[Unit:mm]
Package Dimension and Pin Configuration
< Bottom View
*1
>
< Top View
*2
>
#A1 Ball Origin Indicator
K
S
W
X
5
2
1
6
3
4
8
9
7
F
E
D
C
B
J
H
G
A
e
D
D
D
1
E
1
E
E/2
< Top View
*2
>
z
b
Substrate(2Layer)
A
A1
*2: Top View
*1: Bottom View
相關(guān)PDF資料
PDF描述
K4S511633F-L 8M x 16Bit x 4 Banks Mobile SDRAM
K4S511633F-YC 8M x 16Bit x 4 Banks Mobile SDRAM
K4S511633F-YPC 8M x 16Bit x 4 Banks Mobile SDRAM
K4S511633F 8M x 16Bit x 4 Banks Mobile SDRAM
K4S513233F-F1H Mobile SDRAM
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參數(shù)描述
K4S511633F-L 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:8M x 16Bit x 4 Banks Mobile SDRAM
K4S511633FPL75 制造商:Samsung Semiconductor 功能描述:
K4S511633F-YC 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:8M x 16Bit x 4 Banks Mobile SDRAM
K4S511633F-YL75000 制造商:Samsung 功能描述:512 SDRAM X16 FBGA - Trays
K4S511633F-YPC 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:8M x 16Bit x 4 Banks Mobile SDRAM