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參數(shù)資料
| 型號： | K4S561632E |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | 256Mb E-die SDRAM Specification |
| 中文描述： | 256Mb的電子芯片內(nèi)存規(guī)格 |
| 文件頁數(shù)： | 5/14頁 |
| 文件大?。?/td> | 196K |
| 代理商： | K4S561632E |
SDRAM 256Mb E-die (x4, x8, x16)
CMOS SDRAM
Rev. 1.5 May 2004
FUNCTIONAL BLOCK DIAGRAM
Bank Select
Data Input Register
16M x 4 / 8M x 8 / 4M x 16
16M x 4 / 8M x 8 / 4M x 16
S
O
I
Column Decoder
Latency & Burst Length
Programming Register
A
R
R
R
C
L
L
LCKE
LRAS
LCBR
LWE
LDQM
CLK
CKE
CS
RAS
CAS
WE
L(U)DQM
LWE
LDQM
DQi
CLK
ADD
LCAS
LWCBR
16M x 4 / 8M x 8 / 4M x 16
16M x 4 / 8M x 8 / 4M x 16
Timing Register
* Samsung Electronics reserves the right to change products or specification without notice.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| K4S561632E-TL60 | 256Mb E-die SDRAM Specification |
| K4S561633F | 4M x 16Bit x 4 Banks Mobile SDRAM in 54BOC |
| K4S561633F-C | 4M x 16Bit x 4 Banks Mobile SDRAM in 54BOC |
| K4S561633F-E | 4M x 16Bit x 4 Banks Mobile SDRAM in 54BOC |
| K4S561633F-F1H | 4M x 16Bit x 4 Banks Mobile SDRAM in 54BOC |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| K4S561632E-TC60 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:256Mb E-die SDRAM Specification |
| K4S561632E-TC75 | 制造商:Samsung Semiconductor 功能描述: |
| K4S561632E-TC75T00 | 制造商:Samsung SDI 功能描述:PN may be NE |
| K4S561632E-TL60 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:256Mb E-die SDRAM Specification |
| K4S561632E-TL75 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:256Mb E-die SDRAM Specification |
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