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參數(shù)資料
| 型號： | K4S643232C-TC60 |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | Low Noise Precision Advanced LinCMOS(TM) Single Operational Amplifier 20-LCCC -55 to 125 |
| 中文描述： | 200萬× 32內存為512k × 32 × 4銀行同步DRAM LVTTL |
| 文件頁數(shù)： | 25/43頁 |
| 文件大?。?/td> | 1155K |
| 代理商： | K4S643232C-TC60 |
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CMOS SDRAM
K4S643232C
REV. 1.1 Nov. '99
- 25
Single Bit Read-Write-Read Cycle(Same Page) @CAS Latency=3, Burst Length=1
: Don't care
tRCD
*Note 1
tSS
tSH
tRP
tCCD
tSS
*Note 2
tSH
tRAC
tSAC
tSLZ
tOH
tSH
tSS
tSS
tSH
tSS
tSH
CLOCK
CKE
CS
RAS
CAS
ADDR
BA
0
~
BA
1
A
10
/AP
DQ
WE
DQM
Row Active
Read
Write
Read
Row Active
Precharge
tCH
tCC
tCL
tRAS
tRC
HIGH
tSH
tSH
tSS
tSS
*Note 2,3
BS
*Note 2,3 *Note 4
BS
*Note 4
*Note 3
*Note 3
*Note 3
Rb
Cc
Cb
Ca
Ra
BS
BS
BS
BS
Ra
Rb
Qc
Db
Qa
*Note 2,3
*Note 2
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| K4S643232C-TC70 | Low Noise Precision Advanced LinCMOS(TM) Single Operational Amplifier 8-CDIP -55 to 125 |
| K4S643232E | 2M x 32 SDRAM 512K x 32bit x 4 Banks Synchronous DRAM LVTTL |
| K4S643232E-TE70 | 2M x 32 SDRAM 512K x 32bit x 4 Banks Synchronous DRAM LVTTL(3.3V) |
| K4S643232E-TC45 | 2M x 32 SDRAM 512K x 32bit x 4 Banks Synchronous DRAM LVTTL |
| K4S643232E-TC50 | 2M x 32 SDRAM 512K x 32bit x 4 Banks Synchronous DRAM LVTTL |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| K4S643232CTC70 | 制造商:Samsung Semiconductor 功能描述: |
| K4S643232C-TC70 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:2M x 32 SDRAM 512K x 32bit x 4 Banks Synchronous DRAM LVTTL |
| K4S643232C-TC70000 | 制造商:Samsung SDI 功能描述:DRAM Chip SDRAM 64M-Bit 2Mx32 3.3V 86-Pin TSOP-II Tray |
| K4S643232C-TC80 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:2M x 32 SDRAM 512K x 32bit x 4 Banks Synchronous DRAM LVTTL |
| K4S643232C-TC8000 | 制造商:Samsung Semiconductor 功能描述: |
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