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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | K4S643233H-FHE |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | Mobile-SDRAM |
| 中文描述： | 移動(dòng)SDRAM的 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 6/12頁(yè) |
| 文件大小： | 141K |
| 代理商： | K4S643233H-FHE |
K4S643233H - F(H)E/N/G/C/L/F
February 2004
Mobile-SDRAM
AC OPERATING TEST CONDITIONS
(V
DD
= 2.7V
～
3.6V, T
A
= -25 to 85
°
C for Extended, -25 to 70
°
C for Commercial)
Parameter
Value
Unit
AC input levels (Vih/Vil)
2.4 / 0.4
V
Input timing measurement reference level
1.4
V
Input rise and fall time
tr/tf = 1/1
ns
Output timing measurement reference level
1.4
V
Output load condition
See Figure 2
VDDQ
1200
870
Output
30pF
VOH (DC) = 2.4V, IOH = -2mA
VOL (DC) = 0.4V, IOL = 2mA
Vtt=0.5 x VDDQ
50
Output
30pF
Z0=50
Figure 2. AC Output Load Circuit
Figure 1. DC Output Load Circuit
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| K4S643233H-G | Mobile-SDRAM |
| K4S643233H-L | Mobile-SDRAM |
| K4S643233H-N | Mobile-SDRAM |
| K4T1G044QA | 1Gb A-die DDR2 SDRAM Specification |
| K4T1G044QA-ZCD5 | 1Gb A-die DDR2 SDRAM Specification |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| K4S643233H-G | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:Mobile-SDRAM |
| K4S643233H-HN75000 | 制造商:Samsung Semiconductor 功能描述:DRAM Chip Mobile SDRAM 64M-Bit 2Mx32 3V 90-Pin FBGA |
| K4S643233H-L | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:Mobile-SDRAM |
| K4S643233H-N | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:Mobile-SDRAM |
| K4S643233K-FN75000 | 制造商:Samsung Semiconductor 功能描述:64M SDRAM X32 FBGA - Trays |
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