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參數(shù)資料
| 型號： | K6X4016T3F-TQ85 |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | 256Kx16 bit Low Power and Low Voltage CMOS Static RAM |
| 中文描述： | 256Kx16位低功耗和低電壓的CMOS靜態(tài)RAM |
| 文件頁數(shù)： | 7/9頁 |
| 文件大?。?/td> | 138K |
| 代理商： | K6X4016T3F-TQ85 |
K6X4016T3F Family
CMOS SRAM
Revision 1.0
August 2003
7
TIMING WAVEFORM OF WRITE CYCLE(2)
(CS Controlled)
Address
CS
Data Valid
UB, LB
WE
Data in
Data out
High-Z
High-Z
t
WC
t
CW(2)
t
AW
t
BW
t
WP(1)
t
DH
t
DW
t
WR(4)
t
AS(3)
TIMING WAVEFORM OF WRITE CYCLE(1)
(WE Controlled)
Address
CS
Data Undefined
UB, LB
WE
Data in
Data out
t
WC
t
CW(2)
t
WR(4)
t
AW
t
BW
t
WP(1)
t
AS(3)
t
DH
t
DW
t
WHZ
t
OW
High-Z
High-Z
Data Valid
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| K6X4016T3F | 256Kx16 bit Low Power and Low Voltage CMOS Static RAM |
| K6X4016T3F-B | 256Kx16 bit Low Power and Low Voltage CMOS Static RAM |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| K6X4016T3FUF55 | 制造商:Samsung Semiconductor 功能描述: |
| K6X8008C2B | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:1Mx8 bit Low Power and Low Voltage CMOS Static RAM |
| K6X8008C2B-B | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:1Mx8 bit Low Power and Low Voltage CMOS Static RAM |
| K6X8008C2B-F | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:1Mx8 bit Low Power and Low Voltage CMOS Static RAM |
| K6X8008C2B-Q | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:1Mx8 bit Low Power and Low Voltage CMOS Static RAM |
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