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參數(shù)資料
| 型號： | K6X8008T2B-Q |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | CMOS SRAM |
| 中文描述： | CMOS SRAM的 |
| 文件頁數(shù)： | 7/9頁 |
| 文件大小： | 129K |
| 代理商： | K6X8008T2B-Q |
K6X8008T2B Family
Revision 1.0
September 2003
7
CMOS SRAM
TIMING WAVEFORM OF WRITE CYCLE(2)
(CS
1
Controlled)
Address
CS
1
t
WC
t
WR(4)
t
AS(3)
t
DW
t
DH
Data Valid
WE
Data in
Data out
High-Z
High-Z
CS
2
t
CW(2)
t
WP(1)
t
AW
TIMING WAVEFORM OF WRITE CYCLE(1)
(WE Controlled)
Address
CS
1
t
CW(2)
t
WR(4)
CS
2
t
CW(2)
t
WP(1)
t
DW
t
DH
t
OW
t
WHZ
Data Undefined
Data Valid
WE
Data in
Data out
t
WC
t
AW
t
AS(3)
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| K6X8008T2B | CMOS SRAM |
| K6X8016T3B-F | 512Kx16 bit Low Power Full CMOS Static RAM |
| K6X8016T3B-Q | CONNECTOR ACCESSORY |
| K6X8016T3B-TF55 | 512Kx16 bit Low Power Full CMOS Static RAM |
| K6X8016T3B-TF70 | 512Kx16 bit Low Power Full CMOS Static RAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| K6X8016C3B | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:512Kx16 bit Low Power Full CMOS Static RAM |
| K6X8016T3B | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:512Kx16 bit Low Power Full CMOS Static RAM |
| K6X8016T3B-F | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:512Kx16 bit Low Power Full CMOS Static RAM |
| K6X8016T3B-Q | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:512Kx16 bit Low Power Full CMOS Static RAM |
| K6X8016T3B-TF55 | 制造商:Samsung Semiconductor 功能描述: |
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