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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | K7D323674A-HGC37 |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | 32Mb A-die DDR SRAM Specification |
| 中文描述： | 32兆甲芯片的DDR SRAM的規(guī)范 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 18/19頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 494K |
| 代理商： | K7D323674A-HGC37 |
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Rev 1.4
Oct. 2005
1Mx36 & 2Mx18 SRAM
- 18
K7D321874A
K7D323674A
JTAG DC OPERATING CONDITIONS
NOTE
: 1. The input level of SRAM pin is to follow the SRAM DC specification.
Parameter
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
Note
Power Supply Voltage
V
DD
1.7
2.5
2.6
V
Input High Level
V
IH
0.65*V
DD
-
V
DD
+0.3
V
Input Low Level
V
IL
-0.3
-
0.35*V
DD
V
Output High Voltage(I
OH
=-2mA)
V
OH
0.75*V
DD
-
V
DD
V
Output Low Voltage(I
OL
=2mA)
V
OL
V
SS
-
0.25*V
DD
V
JTAG AC Characteristics
Parameter
Symbol
Min
Max
Unit
Note
TCK Cycle Time
t
CHCH
50
-
ns
TCK High Pulse Width
t
CHCL
20
-
ns
TCK Low Pulse Width
t
CLCH
20
-
ns
TMS Input Setup Time
t
MVCH
5
-
ns
TMS Input Hold Time
t
CHMX
5
-
ns
TDI Input Setup Time
t
DVCH
5
-
ns
TDI Input Hold Time
t
CHDX
5
-
ns
Clock Low to Output Valid
t
CLQV
0
10
ns
JTAG AC TEST CONDITIONS
NOTE
: 1. See SRAM AC test output load on page 5.
Parameter
Symbol
Min
Unit
Note
Input High/Low Level
V
IH
/V
IL
V
DD
/0.0
V
Input Rise/Fall Time
TR/TF
1.0/1.0
ns
Input and Output Timing Reference Level
V
DD
/2
V
1
JTAG TIMING DIAGRAM
TCK
TMS
TDI
TDO
t
CHCH
t
CHCL
t
CLCH
t
MVCH
t
CHMX
t
DVCH
t
CHDX
t
CLQV
ID REGISTER DEFINITION
Part
Revision Number
(31:28)
Part Configuration
(27:18)
Vendor Definition
(17:12)
Samsung JEDEC Code
(11: 1)
Start Bit
(0)
1M x 36
0000
01000 00100
XXXXXX
00001001110
1
2M x 18
0000
01001 00011
XXXXXX
00001001110
1
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| K7D323674A-HGC40 | 32Mb A-die DDR SRAM Specification |
| K7D801871B-HC25 | 256Kx36 & 512Kx18 SRAM |
| K7D801871B-HC30 | 256Kx36 & 512Kx18 SRAM |
| K7D801871B-HC33 | 256Kx36 & 512Kx18 SRAM |
| K7D801871B-HC35 | 256Kx36 & 512Kx18 SRAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| K7D323674A-HGC40 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱(chēng):Samsung semiconductor 功能描述:32Mb A-die DDR SRAM Specification |
| K7D323674C | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱(chēng):Samsung semiconductor 功能描述:1Mx36 & 2Mx18 SRAM |
| K7D801871B-HC25 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱(chēng):Samsung semiconductor 功能描述:256Kx36 & 512Kx18 SRAM |
| K7D801871B-HC30 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱(chēng):Samsung semiconductor 功能描述:256Kx36 & 512Kx18 SRAM |
| K7D801871B-HC33 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱(chēng):Samsung semiconductor 功能描述:256Kx36 & 512Kx18 SRAM |
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