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參數(shù)資料
| 型號： | K7D323674A-HGC37 |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | 32Mb A-die DDR SRAM Specification |
| 中文描述： | 32兆甲芯片的DDR SRAM的規(guī)范 |
| 文件頁數(shù)： | 19/19頁 |
| 文件大?。?/td> | 494K |
| 代理商： | K7D323674A-HGC37 |
Rev 1.4
Oct. 2005
1Mx36 & 2Mx18 SRAM
- 19
K7D321874A
K7D323674A
153 BGA PACKAGE THERMAL CHARACTERISTICS
NOTE
: 1. Junction temperature can be calculated by : T
J
= T
A
+ P
D
x
θ
JA
or
T
J
= T
C
+ P
D
x
θ
JC
2. Strongly recommends using a heat sink because it greatly improves the ambient temperature requirement
Parameter
Symbol
Thermal Resistance
Unit
Note
Junction to Case
θ
JC
0.9
°
C/W
Junction to Board
θ
JB
6.9
°
C/W
Junction to Ambient(at air flow of 1m/sec)
θ
JA
16.1
°
C/W
Junction to Ambient(at still air)
θ
JA
19.5
°
C/W
PACKAGE DIMENSIONS
153-FCBGA-14.00x22.00 LID
Units:millimeters/Inches
1
BOTTOM VIEW
0.300 MAX M
153-
0.760
±0.150
12.000
2
1.27x8=10.160
TOP VIEW
0.150 MAX
1
1.270 BSC
1
7.000
#A1
UNDERFILL
0
2
1
UNDERFILL
B
A
2
METAL LID
14.000
0.750 MIN
0
1
5.080
0
2
#A1 INDEX
A
B
14.000
(Datum A)
(Datum B)
7 6 5 4 3 2 1
9 8
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| K7D323674A-HGC40 | 32Mb A-die DDR SRAM Specification |
| K7D801871B-HC25 | 256Kx36 & 512Kx18 SRAM |
| K7D801871B-HC30 | 256Kx36 & 512Kx18 SRAM |
| K7D801871B-HC33 | 256Kx36 & 512Kx18 SRAM |
| K7D801871B-HC35 | 256Kx36 & 512Kx18 SRAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| K7D323674A-HGC40 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:32Mb A-die DDR SRAM Specification |
| K7D323674C | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:1Mx36 & 2Mx18 SRAM |
| K7D801871B-HC25 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:256Kx36 & 512Kx18 SRAM |
| K7D801871B-HC30 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:256Kx36 & 512Kx18 SRAM |
| K7D801871B-HC33 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:256Kx36 & 512Kx18 SRAM |
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