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參數(shù)資料
| 型號： | K7D323674A-HGC40 |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | 32Mb A-die DDR SRAM Specification |
| 中文描述： | 32兆甲芯片的DDR SRAM的規(guī)范 |
| 文件頁數(shù)： | 12/19頁 |
| 文件大?。?/td> | 494K |
| 代理商： | K7D323674A-HGC40 |
Rev 1.4
Oct. 2005
1Mx36 & 2Mx18 SRAM
- 12
K7D321874A
K7D323674A
PIN CAPACITANCE
NOTE
: Periodically sampled and not 100% tested.(T
A
=25
°
C, f=500MHz)
Parameter
Symbol
C
IN
C
OUT
Test Condition
V
IN
=0V
V
OUT
=0V
TYP
-
-
Max
3.2
4.2
Unit
pF
pF
Input Capacitance
Data Output Capacitance
AC TEST CONDITIONS
(T
A
=0 to 70
°
C, V
DD
=2.37 -2.63V, V
DDQ
=1.5V)
Parameter
Symbol
V
IH
/V
IL
V
REF
T
R
/T
F
Value
1.25/0.25
0.75
0.5/0.5
0.75
Cross Point
Unit
V
V
ns
V
V
Note
-
-
-
-
-
-
Input High/Low Level
Input Reference Level
Input Rise/Fall Time
Output Timing Reference Level
Clock Input Timing Reference Level
Output Load
See Below
AC INPUT CHARACTERISTICS
Parameter
Symbol
V
IH
(AC)
V
IL
(AC)
V
DIF
(AC)
V
REF
(AC)
Min
Max
Unit
V
V
V
V
Note
-
-
-
-
AC Input Logic High
AC Input Logic Low
Clock Input Differential Voltage
V
REF
Peak-to-Peak AC Voltage
V
REF
+ 0.4
V
REF
- 0.4
0.8
5% V
REF
(DC)
CK
CK
V
IH
(AC)
V
REF
V
IL
(AC)
AC INPUT DEFINITION
Setup
Time
Hold
Time
V
DIF
(AC)
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| K7D801871B-HC25 | 256Kx36 & 512Kx18 SRAM |
| K7D801871B-HC30 | 256Kx36 & 512Kx18 SRAM |
| K7D801871B-HC33 | 256Kx36 & 512Kx18 SRAM |
| K7D801871B-HC35 | 256Kx36 & 512Kx18 SRAM |
| K7D801871B-HC37 | 256Kx36 & 512Kx18 SRAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| K7D323674C | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:1Mx36 & 2Mx18 SRAM |
| K7D801871B-HC25 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:256Kx36 & 512Kx18 SRAM |
| K7D801871B-HC30 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:256Kx36 & 512Kx18 SRAM |
| K7D801871B-HC33 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:256Kx36 & 512Kx18 SRAM |
| K7D801871B-HC35 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:256Kx36 & 512Kx18 SRAM |
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