參數(shù)資料
型號(hào)： K7D801871B-HC30
廠商： SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD.
英文描述： 256Kx36 & 512Kx18 SRAM
中文描述： 256Kx36
文件頁(yè)數(shù)： 11/16頁(yè)
文件大小： 270K
代理商： K7D801871B-HC30
Rev 4.0
256Kx36 & 512Kx18 SRAM
- 11
January. 2002
K7D801871B
K7D803671B
NOP
CONTINUE
K
K
B1
G
SA
t
AVKH
t
KHAX
CQ
NOP
1
2
3
4
5
6
7
8
10
12
11
B2
B3
CQ
DQ
READ
(burst of 4)
(burst of 4)
9
READ
READ
(burst of 2)
NOP
WRITE
CONTINUE
WRITE
(burst of 4)
READ
CONTINUE
READ
READ
(burst of 4)
CONTINUE
READ
Q
X2
Q
01
Q
02
Q
03
Q
04
Q
51
Q
52
Q
53
Q
54
Q
11
Q
12
D
21
D
23
D
24
D
22
Q
31
t
BVKH
t
KHBX
t
CHQZ
t
KXCH
t
CHLZ
t
CHQV
t
CHQX
t
GHQZ
t
DVKH
t
KHDX
t
GLQX
t
GLQV
t
KHKH
t
GHQX
UNDEFINED
DON’T CARE
NOTE
1. Q
01
refers to output from address A. Q
02
refers to output from the next internal burst address following A, etc.
2. Outputs are disabled(High-Z) one clock cycle after NOP detected or after no pending data requests are present.
3. Doing more than one Read Continue or Write Continue will cause the address to wrap around.
A
0
A
1
A
2
A
3
A
5
TIMING WAVEFORMS FOR DOUBLE DATA RATE CYCLES
(Burst Length=4, 2)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
K7D801871B-HC33 256Kx36 & 512Kx18 SRAM
K7D801871B-HC35 256Kx36 & 512Kx18 SRAM
K7D801871B-HC37 256Kx36 & 512Kx18 SRAM
K7D803671B 256Kx36 & 512Kx18 SRAM
K7D803671B-HC25 256Kx36 & 512Kx18 SRAM
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
K7D801871B-HC33 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:256Kx36 & 512Kx18 SRAM
K7D801871B-HC35 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:256Kx36 & 512Kx18 SRAM
K7D801871B-HC37 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:256Kx36 & 512Kx18 SRAM
K7D803671B 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:256Kx36 & 512Kx18 SRAM
K7D803671B-HC25 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:256Kx36 & 512Kx18 SRAM
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