參數(shù)資料
型號： K7D801871B-HC30
廠商： SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD.
英文描述： 256Kx36 & 512Kx18 SRAM
中文描述： 256Kx36
文件頁數(shù)： 15/16頁
文件大?。?/td> 270K
代理商： K7D801871B-HC30
Rev 4.0
256Kx36 & 512Kx18 SRAM
- 15
January. 2002
K7D801871B
K7D803671B
JTAG DC OPERATING CONDITIONS
NOTE
: 1. The input level of SRAM pin is to follow the SRAM DC specification.
Parameter
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
Note
Power Supply Voltage
V
DD
2.37
2.5
2.63
V
Input High Level
V
IH
1.7
-
V
DD
+0.3
V
Input Low Level
V
IL
-0.3
-
0.7
V
Output High Voltage(I
OH
=-2mA)
V
OH
2.1
-
V
DD
V
Output Low Voltage(I
OL
=2mA)
V
OL
V
SS
-
0.2
V
JTAG AC Characteristics
Parameter
Symbol
Min
Max
Unit
Note
TCK Cycle Time
t
CHCH
50
-
ns
TCK High Pulse Width
t
CHCL
20
-
ns
TCK Low Pulse Width
t
CLCH
20
-
ns
TMS Input Setup Time
t
MVCH
5
-
ns
TMS Input Hold Time
t
CHMX
5
-
ns
TDI Input Setup Time
t
DVCH
5
-
ns
TDI Input Hold Time
t
CHDX
5
-
ns
Clock Low to Output Valid
t
CLQV
0
10
ns
JTAG AC TEST CONDITIONS
NOTE
: 1. See SRAM AC test output load on page 5.
Parameter
Symbol
Min
Unit
Note
Input High/Low Level
V
IH
/V
IL
2.5/0.0
V
Input Rise/Fall Time
TR/TF
1.0/1.0
ns
Input and Output Timing Reference Level
1.25
V
1
JTAG TIMING DIAGRAM
TCK
TMS
TDI
TDO
t
CHCH
t
CHCL
t
CLCH
t
MVCH
t
CHMX
t
DVCH
t
CHDX
t
CLQV
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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K7D803671B 256Kx36 & 512Kx18 SRAM
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參數(shù)描述
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