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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | K7M161825M |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | 512Kx36 & 1Mx18 Flow-Through NtRAM-TM |
| 中文描述： | 512Kx36 |
| 文件頁數(shù)： | 5/20頁 |
| 文件大?。?/td> | 364K |
| 代理商： | K7M161825M |
512Kx36 & 1Mx18 Flow-Through N
t
RAM
TM
- 5 -
Rev 3.0
February 2001
K7M161825M
K7M163625M
119BGA PACKAGE PIN CONFIGURATIONS
(TOP VIEW)
K7M163625M(512Kx36)
Note :
* A
0
and A
1
are the two least significant bits(LSB) of the address field and set the internal burst counter if burst is desired.
1
2
3
4
5
6
7
A
V
DDQ
A
A
A
A
A
V
DDQ
B
NC
CS
2
A
ADV
A
CS
2
NC
C
NC
A
A
V
DD
A
A
NC
D
DQc
DQPc
V
SS
NC
V
SS
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DQb
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DQc
DQc
V
SS
CS
1
V
SS
DQb
DQb
F
V
DDQ
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V
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V
SS
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V
DDQ
G
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DQc
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DQc
V
SS
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V
SS
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DQb
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DDQ
V
DD
NC
V
DD
NC
V
DD
V
DDQ
K
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DQd
V
SS
CLK
V
SS
DQa
DQa
L
DQd
DQd
BWd
NC
BWa
DQa
DQa
M
V
DDQ
DQd
V
SS
CKE
V
SS
DQa
V
DDQ
N
DQd
DQd
V
SS
A
1
*
V
SS
DQa
DQa
P
DQd
DQPd
V
SS
A
0
*
V
SS
DQPa
DQa
R
NC
A
LBO
V
DD
NC
A
NC
T
NC
NC
A
A
A
NC
ZZ
U
V
DDQ
NC
NC
NC
NC
NC
V
DDQ
PIN NAME
SYMBOL
PIN NAME
SYMBOL
PIN NAME
A
A
0
,A
1
ADV
WE
CLK
CKE
CS
1
CS
2
CS
2
BWx
(x=a,b,c,d)
OE
ZZ
LBO
Address Inputs
Burst Address Inputs
Address Advance/Load
Read/Write Control Input
Clock
Clock Enable
Chip Select
Chip Select
Chip Select
Byte Write Inputs
Output Enable
Power Sleep Mode
Burst Mode Control
V
DD
V
SS
N.C.
DQa
DQb
DQc
DQd
DQPa~Pd
V
DDQ
Power Supply
Ground
No Connect
Data Inputs/Outputs
Data Inputs/Outputs
Data Inputs/Outputs
Data Inputs/Outputs
Data Inputs/Outputs
Output Power Supply
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| K7M163625M | 512Kx36 & 1Mx18 Flow-Through NtRAM-TM |
| K7M801825A | Evaluation Module for TPS650731 5-Channel Power Management IC |
| K7M803625A | Evaluation Module for TPS650732 5-Channel Power Management IC |
| K7M801825B | 256Kx36 & 512Kx18-Bit Flow Through NtRAM |
| K7M803625B | 256Kx36 & 512Kx18-Bit Flow Through NtRAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| K7M161835B | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:512Kx36 & 1Mx18 Flow-Through NtRAM |
| K7M161835B-PC65 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:512Kx36 & 1Mx18 Flow-Through NtRAM |
| K7M161835B-PI65 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:512Kx36 & 1Mx18 Flow-Through NtRAM |
| K7M161835B-QC65 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:512Kx36 & 1Mx18 Pipelined NtRAM |
| K7M161835B-QCI65 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:512Kx36 & 1Mx18 Pipelined NtRAM |
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