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參數(shù)資料
| 型號： | K7M163625M |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | 512Kx36 & 1Mx18 Flow-Through NtRAM-TM |
| 中文描述： | 512Kx36 |
| 文件頁數(shù)： | 20/20頁 |
| 文件大?。?/td> | 364K |
| 代理商： | K7M163625M |
512Kx36 & 1Mx18 Flow-Through N
t
RAM
TM
- 20 -
Rev 3.0
February 2001
K7M161825M
K7M163625M
119BGA PACKAGE DIMENSIONS
0.750
±
0.15
1.27
1.27
12.50
±
0.10
0.60
±
0.10
0.60
±
0.10
1.50REF
C1.00
C0.70
14.00
±
0.10
22.00
±
0.10
20.50
±
0.10
Notes
1. All Dimensions are in Millimeters.
2. Solder Ball to PCB Offset : 0.10 MAX.
3. PCB to Cavity Offset : 0.10 MAX.
Indicator of
Ball(1A) Location
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| K7M801825A | Evaluation Module for TPS650731 5-Channel Power Management IC |
| K7M803625A | Evaluation Module for TPS650732 5-Channel Power Management IC |
| K7M801825B | 256Kx36 & 512Kx18-Bit Flow Through NtRAM |
| K7M803625B | 256Kx36 & 512Kx18-Bit Flow Through NtRAM |
| K7N161801M | 512Kx36 & 1Mx18-Bit Pipelined NtRAM TM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| K7M163635B | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:512Kx36 & 1Mx18 Flow-Through NtRAM |
| K7M163635B-PC65 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:512Kx36 & 1Mx18 Flow-Through NtRAM |
| K7M163635B-PI65 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:512Kx36 & 1Mx18 Flow-Through NtRAM |
| K7M163635B-QC65 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:512Kx36 & 1Mx18 Pipelined NtRAM |
| K7M163635B-QCI65 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:512Kx36 & 1Mx18 Pipelined NtRAM |
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