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參數(shù)資料
| 型號： | K7P403622B-HC20 |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | 128Kx36 & 256Kx18 Synchronous Pipelined SRAM |
| 中文描述： | 128K × 36至 |
| 文件頁數(shù)： | 13/13頁 |
| 文件大?。?/td> | 280K |
| 代理商： | K7P403622B-HC20 |
Rev 1.2
Jul. 2003
- 13
K7P401822B
128Kx36 & 256Kx18 SRAM
K7P403622B
119 BGA PACKAGE DIMENSIONS
0.750
±
0.15
1.27
1.27
12.50
±
0.10
0.60
±
0.10
0.60
±
0.10
1.50REF
C1.00
C0.70
14.00
±
0.10
22.00
±
0.10
20.50
±
0.10
NOTE
:
1. All Dimensions are in Millimeters.
2. Solder Ball to PCB Offset : 0.10 MAX.
3. PCB to Cavity Offset : 0.10 MAX.
Indicator of
Ball(1A) Location
119 BGA PACKAGE THERMAL CHARACTERISTICS
NOTE
: 1. Junction temperature can be calculated by : T
J
= T
A
+ P
D
x Theta_JA.
Parameter
Symbol
Thermal Resistance
Unit
Note
Junction to Ambient
Theta_JA
TBD
°
C/W
Junction to Case
Theta_JC
TBD
°
C/W
Junction to Solder Ball
Theta_JB
TBD
°
C/W
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| K7P403622B-HC25 | 128Kx36 & 256Kx18 Synchronous Pipelined SRAM |
| K7P403622B | 128Kx36 & 256Kx18 Synchronous Pipelined SRAM |
| K7P403622B-HC16 | 128Kx36 & 256Kx18 Synchronous Pipelined SRAM |
| K7Q161852A | 512Kx36 & 1Mx18 QDRTM b2 SRAM |
| K7Q163652A | Electrical Outlet Connector; Voltage Rating:125V; Contact Plating:Nickel; Current Rating:30A RoHS Compliant: Yes |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| K7P403622B-HC25 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:128Kx36 & 256Kx18 Synchronous Pipelined SRAM |
| K7P403622M | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:128Kx36 & 256Kx18 Synchronous Pipelined SRAM |
| K7P403622M-H16 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:128Kx36 & 256Kx18 Synchronous Pipelined SRAM |
| K7P403622M-H19 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:128Kx36 & 256Kx18 Synchronous Pipelined SRAM |
| K7P403622M-H20 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:128Kx36 & 256Kx18 Synchronous Pipelined SRAM |
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