參數(shù)資料
型號(hào)： K7P403622B-HC20
廠商： SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD.
英文描述： 128Kx36 & 256Kx18 Synchronous Pipelined SRAM
中文描述： 128K × 36至
文件頁(yè)數(shù)： 7/13頁(yè)
文件大?。?/td> 280K
代理商： K7P403622B-HC20
Rev 1.2
Jul. 2003
- 7 -
K7P401822B
128Kx36 & 256Kx18 SRAM
K7P403622B
AC CHARACTERISTICS
Parameter
Symbol
-25
-20
-16
Unit
Note
Min
Max
Min
Max
Min
Max
Clock Cycle Time
t
KHKH
4.0
-
5.0
-
6.0
-
ns
Clock High Pulse Width
t
KHKL
1.4
-
1.5
-
1.5
-
ns
Clock Low Pulse Width
t
KLKH
1.4
-
1.5
-
1.5
-
ns
Clock High to Output Valid
t
KHQV
-
2.5
-
2.7
-
3.0
ns
Clock High to Output Hold
t
KHQX
0.5
-
0.5
-
0.5
-
ns
Address Setup Time
t
AVKH
0.4
-
0.5
-
0.5
-
ns
Address Hold Time
t
KHAX
0.7
-
1.0
-
1.0
-
ns
Write Data Setup Time
t
DVKH
0.4
-
0.5
-
0.5
-
ns
Write Data Hold Time
t
KHDX
0.7
-
1.0
-
1.0
-
ns
SW, SW[a:d] Setup Time
t
WVKH
0.4
-
0.5
-
0.5
-
ns
SW, SW[a:d] Hold Time
t
KHWX
0.7
-
1.0
-
1.0
-
ns
SS Setup Time
t
SVKH
0.4
-
0.5
-
0.5
-
ns
SS Hold Time
t
KHSX
0.7
-
1.0
-
1.0
-
ns
Clock High to Output Hi-Z
t
KHQZ
-
2.3
-
2.5
-
3.0
ns
Clock High to Output Low-Z
t
KHQX1
0.5
-
0.5
-
0.5
-
ns
G High to Output High-Z
t
GHQZ
-
2.3
-
2.5
-
3.0
ns
G Low to Output Low-Z
t
GLQX
0.5
-
0.5
-
0.5
-
ns
G Low to Output Valid
t
GLQV
-
2.3
-
2.5
-
3.0
ns
ZZ High to Power Down(Sleep Time)
t
ZZE
-
15
-
15
-
15
ns
ZZ Low to Recovery(Wake-up Time)
t
ZZR
-
20
-
20
-
20
ns
Z0=50
50
1.25V
*Capacitive load consists of all components
of the tester environment
AC TEST CONDITIONS
Parameter
Symbol
Value
Unit
Core Power Supply Voltage
V
DD
3.15~3.45
V
Output Power Supply Voltage
V
DDQ
2.4~2.6
V
Input High/Low Level
V
IH
/V
IL
1.7/0.7
V
Clock Input High/Low Level(PECL)
V
IH/
V
IL
2.4/1.5
V
Input Rise/Fall Time
T
R
/T
F
1.0/1.0
ns
Clock Input Rise/Fall Time(PECL)
T
R
/T
F
1.0/1.0
ns
Input and Out Timing Reference Level
1.25
V
Clock Input Timing Reference Level
Cross Point
V
AC TEST OUTPUT LOAD
Dout
20pF*
相關(guān)PDF資料
PDF描述
K7P403622B-HC25 128Kx36 & 256Kx18 Synchronous Pipelined SRAM
K7P403622B 128Kx36 & 256Kx18 Synchronous Pipelined SRAM
K7P403622B-HC16 128Kx36 & 256Kx18 Synchronous Pipelined SRAM
K7Q161852A 512Kx36 & 1Mx18 QDRTM b2 SRAM
K7Q163652A Electrical Outlet Connector; Voltage Rating:125V; Contact Plating:Nickel; Current Rating:30A RoHS Compliant: Yes
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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K7P403622M 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:128Kx36 & 256Kx18 Synchronous Pipelined SRAM
K7P403622M-H16 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:128Kx36 & 256Kx18 Synchronous Pipelined SRAM
K7P403622M-H19 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:128Kx36 & 256Kx18 Synchronous Pipelined SRAM
K7P403622M-H20 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:128Kx36 & 256Kx18 Synchronous Pipelined SRAM
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