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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | K7Q161854A-FC13 |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | 512Kx36-bit, 1Mx18-bit QDR SRAM |
| 中文描述： | 512Kx36位，1Mx18位的國(guó)防評(píng)估報(bào)告的SRAM |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 16/17頁(yè) |
| 文件大小： | 510K |
| 代理商： | K7Q161854A-FC13 |
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512Kx36 & 1Mx18 QDR
TM
b4 SRAM
- 16 -
Rev 1.0
July. 2002
K7Q163654A
K7Q161854A
JTAG DC OPERATING CONDITIONS
Note
: 1. The input level of SRAM pin is to follow the SRAM DC specification
.
Parameter
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
Note
Power Supply Voltage
V
DD
2.4
2.5
2.6
V
Input High Level
V
IH
1.7
-
V
DD
+0.3
V
Input Low Level
V
IL
-0.3
-
0.7
V
Output High Voltage(I
OH
=-2mA)
V
OH
2.0
-
V
DD
V
Output Low Voltage(I
OL
=2mA)
V
OL
V
SS
-
0.4
V
JTAG TIMING DIAGRAM
JTAG AC Characteristics
Parameter
Symbol
Min
Max
Unit
Note
TCK Cycle Time
t
CHCH
50
-
ns
TCK High Pulse Width
t
CHCL
20
-
ns
TCK Low Pulse Width
t
CLCH
20
-
ns
TMS Input Setup Time
t
MVCH
5
-
ns
TMS Input Hold Time
t
CHMX
5
-
ns
TDI Input Setup Time
t
DVCH
5
-
ns
TDI Input Hold Time
t
CHDX
5
-
ns
SRAM Input Setup Time
t
SVCH
5
-
ns
SRAM Input Hold Time
t
CHSX
5
-
ns
Clock Low to Output Valid
t
CLQV
0
10
ns
JTAG AC TEST CONDITIONS
Note
: 1. See SRAM AC test output load on page 11.
Parameter
Symbol
Min
Unit
Note
Input High/Low Level
V
IH
/V
IL
2.5/0.0
V
Input Rise/Fall Time
TR/TF
1.0/1.0
ns
Input and Output Timing Reference Level
1.25
V
1
TCK
TMS
TDI
PI
(SRAM)
t
CHCH
t
MVCH
t
CHMX
t
CHCL
t
CLCH
t
DVCH
t
CHDX
t
CLQV
TDO
t
SVCH
t
CHSX
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| K7Q161854A-FC16 | 512Kx36-bit, 1Mx18-bit QDR SRAM |
| K7Q161854A-FC20 | 512Kx36-bit, 1Mx18-bit QDR SRAM |
| K7Q163654A | 512Kx36-bit, 1Mx18-bit QDR SRAM |
| K7Q163654A-FC10 | 512Kx36-bit, 1Mx18-bit QDR SRAM |
| K7Q163654A-FC13 | 512Kx36-bit, 1Mx18-bit QDR SRAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| K7Q161854A-FC16 | 制造商:Samsung Semiconductor 功能描述: |
| K7Q161854A-FC20 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:512Kx36-bit, 1Mx18-bit QDR SRAM |
| K7Q161862 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:512Kx36 & 1Mx18 QDRTM b2 SRAM |
| K7Q161862B | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:512Kx36 & 1Mx18 QDRTM b2 SRAM |
| K7Q161864B | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:512Kx36 & 1Mx18 QDRTM b4 SRAM |
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