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參數(shù)資料
| 型號： | K7Q161854A |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | 512Kx36-bit, 1Mx18-bit QDR SRAM |
| 中文描述： | 512Kx36位，1Mx18位的國防評估報告的SRAM |
| 文件頁數(shù)： | 13/17頁 |
| 文件大?。?/td> | 510K |
| 代理商： | K7Q161854A |
512Kx36 & 1Mx18 QDR
TM
b4 SRAM
- 13 -
Rev 1.0
July. 2002
K7Q163654A
K7Q161854A
K
SA
W
K
C
C
R
D(Data In)
Q(Data Out)
Q1-1
Q1-2
Q1-3
Q1-4
Q3-1
Q3-2
A1
A2
A3
A4
D2-1
D2-2
D2-3
D2-4
D4-3
D4-1
D4-2
Q3-3
Q3-4
TIMING WAVE FORMS OF READ, WRITE AND NOP
Note
: 1. Q1-1 refers to output from address A1+0, Q1-2 refers to output from address A1+1 i.e. the next internal burst address following A1+0.
2. Outputs are disabled one cycle after a NOP.
3. If address A3=A2, data Q3-1=D2-1, data Q3-2=D2-2,data Q3-3=D2-3, data Q3-4=D2-4.
Write data is forwarded immediately as read results.
4. BWx assumed active
Don
′
t Care Undefined
READ
READ
NOP
WRITE
WRITE
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| K7Q161854A-FC10 | 512Kx36-bit, 1Mx18-bit QDR SRAM |
| K7Q161854A-FC13 | 512Kx36-bit, 1Mx18-bit QDR SRAM |
| K7Q161854A-FC16 | 512Kx36-bit, 1Mx18-bit QDR SRAM |
| K7Q161854A-FC20 | 512Kx36-bit, 1Mx18-bit QDR SRAM |
| K7Q163654A | 512Kx36-bit, 1Mx18-bit QDR SRAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| K7Q161854A-FC10 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:512Kx36-bit, 1Mx18-bit QDR SRAM |
| K7Q161854A-FC13 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:512Kx36-bit, 1Mx18-bit QDR SRAM |
| K7Q161854A-FC16 | 制造商:Samsung Semiconductor 功能描述: |
| K7Q161854A-FC20 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:512Kx36-bit, 1Mx18-bit QDR SRAM |
| K7Q161862 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:512Kx36 & 1Mx18 QDRTM b2 SRAM |
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