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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | K7Q161882 |
| 廠(chǎng)商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | 512Kx36 & 1Mx18 QDR b2 SRAM |
| 中文描述： | 512Kx36 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 11/17頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 503K |
| 代理商： | K7Q161882 |
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512Kx36 & 1Mx18 QDR
TM
b2 SRAM
- 11 -
Rev 1.0
July 2002
K7Q163682A
K7Q161882A
APPLICATION INRORMATION
THERMAL RESISTANCE
Note
: Junction temperature is a function of on-chip power dissipation, package thermal impedance, mounting site temperature and mounting site
thermal impedance. T
J
=T
A
+ P
D
x
θ
JA
PRMETER
SYMBOL
TYP
Unit
°
C
/W
°
C
/W
°
C
/W
NOTES
Junction to Ambient
θ
JA
24.0
Junction to Case
θ
JC
θ
JB
2.8
Junction to Pins
5.5
PIN CAPACITANCE
Note
: 1. Parameters are tested with RQ=250
and V
DDQ
=1.5V.
2. Periodically sampled and not 100% tested.
PRMETER
SYMBOL
TESTCONDITION
MIN
MAX
Unit
NOTES
Address Control Input Capacitance
C
IN
V
IN
=0V
4
5
pF
Input and Output Capacitance
C
OUT
V
OUT
=0V
6
7
pF
Clock Capacitance
C
CLK
-
5
6
pF
1Mx18
SRAM#1
D
0-17
SA
R W BW
0
Q
0-17
K
ZQ
K
C C
SRAM#4
R
Vt
Vt
Vt
R=50
Vt=V
REF
Vt
Vt
R
R=250
R=250
BW
1
D
0-17
SA
RW BW
0
Q
0-17
K
ZQ
K
C C
BW
1
Data In
Data Out
Address
R
W
BW0-7
Return CLK
Source CLK
Return CLK
Source CLK
MEMORY
CONTROLLER
V
DD
Q/2
50
SRAM
Zo=50
0.75V
V
REF
ZQ
250
AC TEST OUTPUT LOAD
AC TEST CONDITIONS
Note
: Parameters are tested with RQ=250
Parameter
Symbol
Value
Unit
Core Power Supply Voltage
V
DD
1.7~1.9
V
Output Power Supply Voltage
V
DDQ
1.4~1.9
V
Input High/Low Level
V
IH
/V
IL
1.25/0.25
V
Input Reference Level
V
REF
0.75
V
Input Rise/Fall Time
T
R
/T
F
0.3/0.3
ns
Output Timing Reference Level
V
DDQ
/2
V
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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| K7Q163652A | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱(chēng):Samsung semiconductor 功能描述:512Kx36 & 1Mx18 QDRTM b2 SRAM |
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