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參數(shù)資料
| 型號： | K7Q161882 |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | 512Kx36 & 1Mx18 QDR b2 SRAM |
| 中文描述： | 512Kx36 |
| 文件頁數(shù)： | 13/17頁 |
| 文件大?。?/td> | 503K |
| 代理商： | K7Q161882 |
512Kx36 & 1Mx18 QDR
TM
b2 SRAM
- 13 -
Rev 1.0
July 2002
K7Q163682A
K7Q161882A
Q1-1
Q1-2
Q3-1
Q3-2
Q5-1
Q5-2
K
SA
W
K
C
C
R
TIMING WAVE FORMS OF READ, WRITE AND NOP
D(Data In)
Q(Data Out)
A1
A2
A3
A4
A5
A6
A7
D2-1
D2-2
D4-1
D4-2
D7-1
D7-2
D6-1
D6-2
Don
′
t Care Undefined
Note
:
1. Q1-1 refers to output from address A1+0, Q1-2 refers to output from address A1+1 i.e. the next internal burst address following A1+0.
2. Outputs are disabled(High-Z) one cycle after a NOP.
3. If address A1=A2, data Q1-1=D2-1, data Q1-2=D2-2. Write data is forwarded immediately as read results.
4. BWx are assumed active.
READ
WRITE
NOP
WRITE
READ
WRITE
READ
WRITE
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| K7Q161882A | 512Kx36 & 1Mx18 QDR b2 SRAM |
| K7Q163682A | 512Kx36 & 1Mx18 QDR b2 SRAM |
| K7R160982B | 512Kx36 & 1Mx18 & 2Mx9 QDRTM II b2 SRAM |
| K7R161882B | 512Kx36 & 1Mx18 & 2Mx9 QDRTM II b2 SRAM |
| K7R163682B | 512Kx36 & 1Mx18 & 2Mx9 QDRTM II b2 SRAM |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| K7Q161882A | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:512Kx36 & 1Mx18 QDR b2 SRAM |
| K7Q163652A | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:512Kx36 & 1Mx18 QDRTM b2 SRAM |
| K7Q163654A | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:512Kx36-bit, 1Mx18-bit QDR SRAM |
| K7Q163654A-FC10 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:512Kx36-bit, 1Mx18-bit QDR SRAM |
| K7Q163654A-FC13 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:512Kx36-bit, 1Mx18-bit QDR SRAM |
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