參數(shù)資料
型號： K7Q163654A-FC20
廠商： SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD.
英文描述： 512Kx36-bit, 1Mx18-bit QDR SRAM
中文描述： 512Kx36位，1Mx18位的國防評估報告的SRAM
文件頁數(shù)： 12/17頁
文件大?。?/td> 510K
代理商： K7Q163654A-FC20
512Kx36 & 1Mx18 QDR
TM
b4 SRAM
- 12 -
Rev 1.0
July. 2002
K7Q163654A
K7Q161854A
Q1-1
Q1-2
t
CHQX
Q1-3
Q1-4
Q2-1
Q2-2
Q2-3
Q2-4
t
CHQZ
t
KLKH
t
KHKH
t
KHKL
t
AVKH
t
KHAX
t
IVKH
t
KHIX
t
CHQX
1
t
KHCH
t
CHQV
t
CHQV
TIMING WAVE FORMS OF READ AND NOP
A1
A2
Note
:
1. Q1-1 refers to output from address A1+0, Q1-2 refers to output from address A1+1 i.e. the next internal burst address following A1+0.
2. Outputs are disabled one cycle after a NOP.
D1-1
D1-2
D1-3
D1-4
D2-1
D2-2
D2-3
D2-4
t
KLKH
t
KHKH
t
KHKH
t
KHKL
t
AVKH
t
KHAX
t
IVKH
t
KHIX
t
KHIX
t
DVKH
t
KHDX
TIMING WAVE FORMS OF WRITE AND NOP
A1
A2
Don
′
t Care Undefined
Note
:
1. D1-1 refers to input to address A1+0, D1-2 refers to input to address A1+1, i.e the next internal burst address following A1+0.
K
SA
R
K
Q(Data Out)
C
C
K
SA
W
K
D(Data In)
Don
′
t Care Undefined
t
KHKH
READ
READ
NOP
WRITE
WRITE
NOP
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