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參數(shù)資料
| 型號： | K7Q163682A |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | 512Kx36 & 1Mx18 QDR b2 SRAM |
| 中文描述： | 512Kx36 |
| 文件頁數(shù)： | 12/17頁 |
| 文件大?。?/td> | 503K |
| 代理商： | K7Q163682A |
512Kx36 & 1Mx18 QDR
TM
b2 SRAM
- 12 -
Rev 1.0
July 2002
K7Q163682A
K7Q161882A
Q1-1
Q1-2
t
CHQX
Q2-1
Q2-2
Q3-1
Q3-2
K
SA
R
t
KLKH
t
KHKH
t
KHKH
t
KHKL
t
AVKH
t
KHAX
t
IVKH
t
KHIX
t
CHQX
1
t
KHCH
t
CHQV
t
CHQV
K
Q(Data Out)
C
C
Note
:
1. Q1-1 refers to output from address A1+0, Q1-2 refers to output from address A1+1 i.e. the next internal burst address following A1+0.
2. Outputs are disabled(High-Z) one cycle after a NOP.
A1
A2
A3
TIMING WAVE FORMS OF READ AND NOP
Don
′
t Care Undefined
t
CHQZ
D1-1
D1-2
D2-1
D2-2
D3-1
D3-2
K
SA
W
K
D(Data In)
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KHKH
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KHKH
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KHIX
A1
A2
A3
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DVKH
t
KHDX
t
KHIX
TIMING WAVE FORMS OF WRITE AND NOP
READ
READ
NOP
READ
WRITE
WRITE
NOP
WRITE
NOP
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PDF描述 |
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