- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄374294 > K7R160982B (SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD.) 512Kx36 & 1Mx18 & 2Mx9 QDRTM II b2 SRAM PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號(hào)： | K7R160982B |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | 512Kx36 & 1Mx18 & 2Mx9 QDRTM II b2 SRAM |
| 中文描述： | 512Kx36 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 13/19頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 428K |
| 代理商： | K7R160982B |
第1頁(yè)第2頁(yè)第3頁(yè)第4頁(yè)第5頁(yè)第6頁(yè)第7頁(yè)第8頁(yè)第9頁(yè)第10頁(yè)第11頁(yè)第12頁(yè)當(dāng)前第13頁(yè)第14頁(yè)第15頁(yè)第16頁(yè)第17頁(yè)第18頁(yè)第19頁(yè)
512Kx36 & 1Mx18 & 2Mx9 QDR
TM
II b2 SRAM
- 13 -
Rev 3.0
June. 2004
K7R163682B
K7R161882B
K7R160982B
APPLICATION INRORMATION
THERMAL RESISTANCE
Note
: Junction temperature is a function of on-chip power dissipation, package thermal impedance, mounting site temperature and mounting site
thermal impedance. T
J
=T
A
+ P
D
x
θ
JA
PRMETER
SYMBOL
Typ
Unit
°
C
/W
°
C
/W
NOTES
Junction to Ambient
θ
JA
θ
JC
17.1
Junction to Case
3.3
PIN CAPACITANCE
Note
: 1. Parameters are tested with RQ=250
and V
DDQ
=1.5V.
2. Periodically sampled and not 100% tested.
PRMETER
SYMBOL
TESTCONDITION
TYP
MAX
Unit
NOTES
Address Control Input Capacitance
C
IN
V
IN
=0V
4
5
pF
Input and Output Capacitance
C
OUT
V
OUT
=0V
6
7
pF
Clock Capacitance
C
CLK
-
5
6
pF
SRAM#1
D
SA
R W BW
0
Q
K
CQ
K
C C
SRAM#4
R
Vt
Vt
Vt
R=50
Vt=V
REF
Vt
Vt
R
R=250
BW
1
D
SA
RW BW
0
Q
K
C C
BW
1
K
Data In
Data Out
Address
R
W
BW
Return CLK
Source CLK
Return CLK
Source CLK
MEMORY
CONTROLLER
CQ
ZQ R=250
CQ
CQ
ZQ
SRAM1 Input CQ
SRAM1 Input CQ
SRAM4 Input CQ
SRAM4 Input CQ
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| K7R161882B | 512Kx36 & 1Mx18 & 2Mx9 QDRTM II b2 SRAM |
| K7R163682B | 512Kx36 & 1Mx18 & 2Mx9 QDRTM II b2 SRAM |
| K7R321884M-FC16 | 1Mx36 & 2Mx18 QDRTM II b4 SRAM |
| K7R323684M | 1Mx36 & 2Mx18 QDRTM II b4 SRAM |
| K7R323684M-FC16 | 1Mx36 & 2Mx18 QDRTM II b4 SRAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| K7R161882B | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:512Kx36 & 1Mx18 & 2Mx9 QDRTM II b2 SRAM |
| K7R161884B | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:512Kx36 & 1Mx18 QDRTM II b4 SRAM |
| K7R161884B-FC16 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:512Kx36 & 1Mx18 QDR II b4 SRAM |
| K7R161884B-FC20 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:512Kx36 & 1Mx18 QDR II b4 SRAM |
| K7R161884B-FC25 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:512Kx36 & 1Mx18 QDR II b4 SRAM |
發(fā)布緊急采購(gòu)，3分鐘左右您將得到回復(fù)。