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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | K7R161882B |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | 512Kx36 & 1Mx18 & 2Mx9 QDRTM II b2 SRAM |
| 中文描述： | 512Kx36 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 15/19頁(yè) |
| 文件大小： | 428K |
| 代理商： | K7R161882B |
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512Kx36 & 1Mx18 & 2Mx9 QDR
TM
II b2 SRAM
- 15 -
Rev 3.0
June. 2004
K7R163682B
K7R161882B
K7R160982B
A1
A3
TIMING WAVE FORMS OF READ, WRITE AND NOP
Don
′
t Care Undefined
Note
:
1. If address A1=A2, data Q1-1=D2-1, data Q1-2=D2-2.
Write data is forwarded immediately as read results.
2.BWx ( NWx ) assumed active.
K
SA
W
K
C
C
R
D(Data In)
Q(Data Out)
CQ
CQ
A4
A5
A6
A2
A7
D2-2
D2-1
D4-1
D4-2
D6-1
D6-2
D7-1
D7-2
Q5-2
Q1-1
Q1-2
Q3-1
Q3-2
Q5-1
READ
NOP
READ
WRITE
WRITE
WRITE
READ
WRITE
NOP
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| K7R163682B | 512Kx36 & 1Mx18 & 2Mx9 QDRTM II b2 SRAM |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| K7R161884B | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:512Kx36 & 1Mx18 QDRTM II b4 SRAM |
| K7R161884B-FC16 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:512Kx36 & 1Mx18 QDR II b4 SRAM |
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