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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | K7R321884M-FC25 |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | 1Mx36 & 2Mx18 QDRTM II b4 SRAM |
| 中文描述： | 1Mx36 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 14/18頁(yè) |
| 文件大小： | 195K |
| 代理商： | K7R321884M-FC25 |
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- 14 -
Rev 2.0
Dec. 2003
1Mx36 & 2Mx18 QDR
TM
II b4 SRAM
K7R323684M
K7R321884M
A1
A2
TIMING WAVE FORMS OF READ, WRITE AND NOP
Don
′
t Care Undefined
Note
:
1. If address A3=A2, data Q3-1=D2-1, data Q3-2=D2-2 , data Q3-3=D2-3, data Q3-4=D2-4
Write data is forwarded immediately as read results.
2.BWx ( NWx ) assumed active.
K
SA
W
K
C
C
R
D(Data In)
D(Data Out)
A3
D4-3
D4-2
D4-1
D2-4
D2-3
D2-2
D2-1
A4
Q3-3
Q3-2
Q3-1
Q1-4
Q1-3
Q1-2
Q1-1
READ
NOP
NOP
READ
WRITE
WRITE
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| K7R640982M | 2Mx36 & 4Mx18 & 8Mx9 QDRTM II b2 SRAM |
| K7R641882M | Electrical, Duct/Raceway (Trunking); RoHS Compliant: Yes |
| K7R643682M | 2Mx36 & 4Mx18 & 8Mx9 QDRTM II b2 SRAM |
| K7R641884M | 2Mx36 & 4Mx18 QDRTM II b4 SRAM |
| K7R643684M | 2Mx36 & 4Mx18 QDRTM II b4 SRAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| K7R323682 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:1Mx36 & 2Mx18 & 4Mx9 QDRTM II b2 SRAM |
| K7R323682C | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:1Mx36 & 2Mx18 & 4Mx9 QDR II b2 SRAM |
| K7R323682C-EC25000 | 制造商:Samsung SDI 功能描述: |
| K7R323682C-FC16000 | 制造商:Samsung 功能描述:32M 32MSYNC QUAD DATA RATE II X36 FBGA - Trays |
| K7R323682C-FC20 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:1Mx36 & 2Mx18 & 4Mx9 QDR II b2 SRAM |
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