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參數(shù)資料
| 型號： | K7R323684M-FC25 |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | 1Mx36 & 2Mx18 QDRTM II b4 SRAM |
| 中文描述： | 1Mx36 |
| 文件頁數(shù)： | 18/18頁 |
| 文件大小： | 195K |
| 代理商： | K7R323684M-FC25 |
- 18 -
Rev 2.0
Dec. 2003
1Mx36 & 2Mx18 QDR
TM
II b4 SRAM
K7R323684M
K7R321884M
165 FBGA PACKAGE DIMENSIONS
C
Side View
15mm x 17mm Body, 1.0mm Bump Pitch, 11x15 Ball Array
F
B
H
G
A
Bottom View
Top View
B
A
D
E
E
Symbol
Value
Units
Note
Symbol
Value
Units
Note
A
15
±
0.1
mm
E
1.0
mm
B
17
±
0.1
mm
F
14.0
mm
C
1.3
±
0.1
mm
G
10.0
mm
D
0.35
±
0.05
mm
H
0.5
±
0.05
mm
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| K7R321884M | 1Mx36 & 2Mx18 QDRTM II b4 SRAM |
| K7R321884M-FC20 | 1Mx36 & 2Mx18 QDRTM II b4 SRAM |
| K7R321884M-FC25 | 1Mx36 & 2Mx18 QDRTM II b4 SRAM |
| K7R640982M | 2Mx36 & 4Mx18 & 8Mx9 QDRTM II b2 SRAM |
| K7R641882M | Electrical, Duct/Raceway (Trunking); RoHS Compliant: Yes |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| K7R640982M | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:2Mx36 & 4Mx18 & 8Mx9 QDRTM II b2 SRAM |
| K7R640982M-EC25000 | 制造商:Samsung SDI 功能描述: |
| K7R640982MFC25000 | 制造商:Samsung Semiconductor 功能描述: |
| K7R640982M-FC25000 | 制造商:Samsung SDI 功能描述:SRAM Chip Sync Single 1.8V 72M-Bit 8M x 9-Bit 0.45ns 165-Pin FBGA |
| K7R641882M | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:2Mx36 & 4Mx18 & 8Mx9 QDR II b2 SRAM |
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