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參數(shù)資料
| 型號： | K8D6316UBM-TC09 |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 64M Bit (8M x8/4M x16) Dual Bank NOR Flash Memory |
| 中文描述： | 6400位（800萬x8/4M x16）的雙銀行NOR閃存 |
| 文件頁數(shù)： | 1/48頁 |
| 文件大?。?/td> | 658K |
| 代理商： | K8D6316UBM-TC09 |
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FLASH MEMORY
K8D6x16UTM / K8D6x16UBM
Revision 1.5
March 2005
1
Document Title
64M Bit (8M x8/4M x16) Dual Bank NOR Flash Memory
Revision History
Revision No.
0.0
1.0
1.1
1.2
1.3
1.4
1.5
Remark
Preliminary
Final
History
Initial Draft
Final Specification
Revised
- Release the stand-by current from typ. 5uA(max. 18uA) to typ.
10uA(max. 30uA).
Not support 48TSOP1 Package
Not support 16M/16M BANK partition
Support 48TSOP1 Package
Support 48TSOP1 Lead Free Package
Support 48FBGA Leaded/Lead Free Package
Draft Date
January 10, 2002
May 22, 2002
June 18, 2003
November 18, 2003
July 22, 2004
September 16,
2004
March 16, 2005
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| K8D6316UBM-TI07 | 64M Bit (8M x8/4M x16) Dual Bank NOR Flash Memory |
| K8D6316UBM-TI08 | 64M Bit (8M x8/4M x16) Dual Bank NOR Flash Memory |
| K8D6316UBM-TI09 | 64M Bit (8M x8/4M x16) Dual Bank NOR Flash Memory |
| K8D6316UTM-DC07 | 64M Bit (8M x8/4M x16) Dual Bank NOR Flash Memory |
| K8D6316UTM-DC08 | 64M Bit (8M x8/4M x16) Dual Bank NOR Flash Memory |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| K8D6316UBM-TI07 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:64M Bit (8M x8/4M x16) Dual Bank NOR Flash Memory |
| K8D6316UBM-TI08 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:64M Bit (8M x8/4M x16) Dual Bank NOR Flash Memory |
| K8D6316UBM-TI09 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:64M Bit (8M x8/4M x16) Dual Bank NOR Flash Memory |
| K8D6316UBM-YC07 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:64M Bit (8M x8/4M x16) Dual Bank NOR Flash Memory |
| K8D6316UBM-YC08 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:64M Bit (8M x8/4M x16) Dual Bank NOR Flash Memory |
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