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參數(shù)資料
| 型號： | K8D6316UTM-DI09 |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 64M Bit (8M x8/4M x16) Dual Bank NOR Flash Memory |
| 中文描述： | 6400位（800萬x8/4M x16）的雙銀行NOR閃存 |
| 文件頁數(shù)： | 41/48頁 |
| 文件大小： | 658K |
| 代理商： | K8D6316UTM-DI09 |
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FLASH MEMORY
K8D6x16UTM / K8D6x16UBM
Revision 1.5
March 2005
41
Read While Write Operations
SWITCHING WAVEFORMS
Parameter
Symbol
-7
-8
-9
Unit
Min
Max
Min
Max
Min
Max
Write Cycle Time
t
WC
70
-
80
-
90
-
ns
Write Pulse Width
t
WP
35
-
35
-
45
-
ns
Write Pulse Width High
t
WPH
25
-
25
-
30
-
ns
Address Setup Time
t
AS
0
-
0
-
0
-
ns
Address Hold Time
t
AH
45
-
45
-
45
-
ns
Data Setup Time
t
DS
35
-
35
-
45
-
ns
Data Hold Time
t
DH
0
-
0
-
0
-
ns
Read Cycle Time
t
RC
70
-
80
-
90
-
ns
Chip Enable Access Time
t
CE
-
70
-
80
-
90
ns
Address Access Time
t
AA
-
70
-
80
-
90
ns
Output Enable Access Time
t
OE
-
25
-
25
-
35
ns
OE Setup Time
t
OES
0
-
0
-
0
-
ns
OE Hold Time
t
OEH2
10
-
10
-
10
-
ns
CE & OE Disable Time
t
DF
-
16
-
16
-
16
ns
Address Hold Time
t
AHT
0
-
0
-
0
-
ns
CE High during toggle bit polling
t
CEPH
20
-
20
-
20
-
ns
Note :
This is an example in the program-case of the Read While Write function.
DA1 : Address of Bank1, DA2 : Address of Bank 2
PA = Program Address at one bank , RA = Read Address at the other bank, PD = Program Data In , RD = Read Data Out
OE
CE
DQ
WE
t
RC
Read
Command
t
WC
Command
t
WC
Read
t
RC
Read
t
RC
Read
t
RC
t
AH
t
AA
t
CE
t
AS
t
AHT
t
AS
t
CEPH
t
OE
t
OES
t
WP
t
OEH2
t
DF
t
DS
t
DH
t
DF
DA1
DA2
(555H)
DA1
DA1
DA2
(PA)
DA2
(PA)
Valid
Output
Valid
Output
Valid
Input
Valid
Output
Valid
Input
Status
Address
(A0H)
(PD)
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| K8 | KS SERIES KEY SWITCHES |
| K9352M | IF Filter for Audio Applications |
| K9656M | IF Filter for Audio Applications |
| K9F1208Q0A-XXB0 | Circular Connector; MIL SPEC:MIL-DTL-38999 Series III; Body Material:Metal; Series:TVP00; No. of Contacts:37; Connector Shell Size:25; Connecting Termination:Crimp; Circular Shell Style:Wall Mount Receptacle; Body Style:Straight |
| K9F1208UOM | 64M x 8 Bit NAND Flash Memory(64M x 8位與非閃速存儲器) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| K8D6316UTM-FC07 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:64M Bit (8M x8/4M x16) Dual Bank NOR Flash Memory |
| K8D6316UTM-FC08 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:64M Bit (8M x8/4M x16) Dual Bank NOR Flash Memory |
| K8D6316UTM-FC09 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:64M Bit (8M x8/4M x16) Dual Bank NOR Flash Memory |
| K8D6316UTM-FI07 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:64M Bit (8M x8/4M x16) Dual Bank NOR Flash Memory |
| K8D6316UTM-FI08 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:64M Bit (8M x8/4M x16) Dual Bank NOR Flash Memory |
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