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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | K9F1208UOM |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | 64M x 8 Bit NAND Flash Memory(64M x 8位與非閃速存儲(chǔ)器) |
| 中文描述： | 6400 × 8位NAND閃存（64米× 8位與非閃速存儲(chǔ)器） |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 4/41頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 1006K |
| 代理商： | K9F1208UOM |
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K9F1208U0M-YCB0, K9F1208U0M-YIB0
FLASH MEMORY
4
Revision No
0.8
Remark
History
1. In Read ID & Status Read timing diagram, tCLS is changed to tCLR.
Draft Date
Oct. 7th 2001
CE
CLE
I/O
0
~
7
ALE
RE
WE
90h
00h
ECh
Address. 1cycle
Maker code
tCEA
tAR1
tREA
tWHR
CE
WE
CLE
RE
I/O
0
~
7
70h
Status Output
tCLS
tCLH
tCS
tWP
tCH
tDS
tDH
tREA
tIR
tRHZ*
tCHZ*
tWHR
tCEA
tCLS
CE
CLE
I/O
0
~
7
ALE
RE
WE
90h
00h
ECh
Address. 1cycle
Maker code
tCEA
tAR1
tREA
tWHR
CE
WE
CLE
RE
I/O
0
~
7
70h
Status Output
tCLR
tCLH
tCS
tWP
tCH
tDS
tDH
tREA
tIR
tRHZ*
tCHZ*
tWHR
tCEA
tCLS
tCLS
tCLR
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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參數(shù)描述 |
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