- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網 > PDF目錄374296 > K9F1G08Q0A (SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD.) FLASH MEMORY PDF資料下載
參數資料
| 型號： | K9F1G08Q0A |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | FLASH MEMORY |
| 中文描述： | 閃存 |
| 文件頁數： | 21/37頁 |
| 文件大?。?/td> | 677K |
| 代理商： | K9F1G08Q0A |
第1頁第2頁第3頁第4頁第5頁第6頁第7頁第8頁第9頁第10頁第11頁第12頁第13頁第14頁第15頁第16頁第17頁第18頁第19頁第20頁當前第21頁第22頁第23頁第24頁第25頁第26頁第27頁第28頁第29頁第30頁第31頁第32頁第33頁第34頁第35頁第36頁第37頁
FLASH MEMORY
21
K9F1G08U0A
K9F1G08Q0A
Read Operation
(Intercepted by CE)
CE
CLE
R/B
WE
ALE
RE
Busy
00h
Dout N
Dout N+1
Dout N+2
Row Address
Column Address
t
WB
t
AR
t
CHZ
t
OH
t
R
t
RR
t
RC
30h
Read Operation
CE
CLE
R/B
WE
ALE
RE
Busy
00h
Col. Add1
Col. Add2
Row Add1
Dout N
Dout N+1
Column Address
Row Address
t
WB
t
AR
t
R
t
RC
t
RHZ
t
OH
t
RR
Dout M
t
WC
≈
≈
≈
Row Add2
30h
t
CLR
I/Ox
I/Ox
Col. Add1
Col. Add2
Row Add1
Row Add2
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| K9F1G08U0A | FLASH MEMORY |
| K9F1G08Q0M-YIB0 | 1Gb Gb 1.8V NAND Flash Errata |
| K9F1G16Q0M-YCB0 | 1Gb Gb 1.8V NAND Flash Errata |
| K9F1G08U0M-YCB0 | 1Gb Gb 1.8V NAND Flash Errata |
| K9F1G16U0M-YCB0 | 1Gb Gb 1.8V NAND Flash Errata |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| K9F1G08Q0M | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:128M x 8 Bit / 64M x 16 Bit NAND Flash Memory |
| K9F1G08Q0M-PCB0 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:1Gb Gb 1.8V NAND Flash Errata |
| K9F1G08Q0M-PIB0 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:1Gb Gb 1.8V NAND Flash Errata |
| K9F1G08Q0M-YCB0 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:1Gb Gb 1.8V NAND Flash Errata |
| K9F1G08Q0M-YIB0 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:1Gb Gb 1.8V NAND Flash Errata |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。