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參數(shù)資料
| 型號： | K9F1G08Q0M-PIB0 |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | DBM25PK |
| 中文描述： | 1Gb的NAND閃存千兆1.8V的勘誤表 |
| 文件頁數(shù)： | 19/38頁 |
| 文件大?。?/td> | 713K |
| 代理商： | K9F1G08Q0M-PIB0 |
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FLASH MEMORY
18
SAMSUNG
K9F1G08Q0M-YCB0,YIB0,PCB0,PIB0 K9F1G16Q0M-YCB0,YIB0,PCB0,PIB0
K9F1G08U0M-YCB0,YIB0,PCB0,PIB0 K9F1G16U0M-YCB0,YIB0,PCB0,PIB0
K9F1G08U0M-VCB0,VIB0,FCB0,FIB0
* Input Data Latch Cycle
CE
CLE
WE
DIN 0
DIN 1
DIN final*
ALE
t
ALS
t
CLH
t
WC
t
CH
t
DS
t
DH
t
DS
t
DH
t
DS
t
DH
t
WP
t
WH
t
WP
t
WP
* Serial Access Cycle after Read
(CLE=L, WE=H, ALE=L)
RE
CE
R/B
Dout
Dout
Dout
t
RC
t
REA
t
RR
t
OH
t
REA
t
REH
t
REA
t
OH
t
RHZ*
≈
≈
≈
≈
≈
≈
≈
NOTES :
Transition is measured
±
200mV from steady state voltage with load.
This parameter is sampled and not 100% tested.
t
CEA
I/Ox
I/Ox
≈
≈
≈
NOTES :
DIN final means 2112(X8) or 1056(X16)
t
CHZ*
t
RHZ*
t
RP
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| K9F1G16Q0M-PIB0 | DSUB |
| K9F1G08U0M | 1Gb Gb 1.8V NAND Flash Errata |
| K9F1G08U0M-FCB0 | 1Gb Gb 1.8V NAND Flash Errata |
| K9F1G08U0M-FIB0 | 1Gb Gb 1.8V NAND Flash Errata |
| K9F1G08U0M-PCB0 | 1Gb Gb 1.8V NAND Flash Errata |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| K9F1G08Q0M-YCB0 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:1Gb Gb 1.8V NAND Flash Errata |
| K9F1G08Q0M-YIB0 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:1Gb Gb 1.8V NAND Flash Errata |
| K9F1G08R0A | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:128M x 8 Bit / 256M x 8 Bit NAND Flash Memory |
| K9F1G08R0B-JIB0000 | 制造商:Samsung SDI 功能描述:PN may be NE SE |
| K9F1G08U0A | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:128M x 8 Bit / 256M x 8 Bit NAND Flash Memory |
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