參數(shù)資料
型號： K9F1G08U0M-YIB0
廠商： SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD.
英文描述： 1Gb Gb 1.8V NAND Flash Errata
中文描述： 1Gb的NAND閃存千兆1.8V的勘誤表
文件頁數(shù)： 27/38頁
文件大小： 713K
代理商： K9F1G08U0M-YIB0
FLASH MEMORY
26
SAMSUNG
K9F1G08Q0M-YCB0,YIB0,PCB0,PIB0 K9F1G16Q0M-YCB0,YIB0,PCB0,PIB0
K9F1G08U0M-YCB0,YIB0,PCB0,PIB0 K9F1G16U0M-YCB0,YIB0,PCB0,PIB0
K9F1G08U0M-VCB0,VIB0,FCB0,FIB0
BLOCK ERASE OPERATION
CE
CLE
R/B
WE
ALE
RE
60h
Erase Command
Read Status
Command
I/O
0
=1 Error in Erase
D0h
70h
I/O 0
Busy
t
WB
t
BERS
I/O
0
=0 Successful Erase
Row Address
t
WC
≈
Auto Block Erase
Setup Command
I/Ox
Row Add1
Row Add2
相關(guān)PDF資料
PDF描述
K9F1G16Q0M-PCB0 1Gb Gb 1.8V NAND Flash Errata
K9F1G16Q0M-YIB0 1Gb Gb 1.8V NAND Flash Errata
K9F1G16U0M-PCB0 1Gb Gb 1.8V NAND Flash Errata
K9F1G16U0M-PIB0 1Gb Gb 1.8V NAND Flash Errata
K9F1G16U0M-YIB0 1Gb Gb 1.8V NAND Flash Errata
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