參數(shù)資料
型號： K9F1G16Q0M-YIB0
廠商： SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD.
英文描述： 1Gb Gb 1.8V NAND Flash Errata
中文描述： 1Gb的NAND閃存千兆1.8V的勘誤表
文件頁數(shù)： 18/38頁
文件大小： 713K
代理商： K9F1G16Q0M-YIB0
FLASH MEMORY
17
SAMSUNG
K9F1G08Q0M-YCB0,YIB0,PCB0,PIB0 K9F1G16Q0M-YCB0,YIB0,PCB0,PIB0
K9F1G08U0M-YCB0,YIB0,PCB0,PIB0 K9F1G16U0M-YCB0,YIB0,PCB0,PIB0
K9F1G08U0M-VCB0,VIB0,FCB0,FIB0
K9F1G16X0M : I/O
8
~
15 must be set to "0"
K9F1G16X0M : I/O
8
~
15 must be set to "0"
* Command Latch Cycle
CE
WE
CLE
ALE
Command
* Address Latch Cycle
t
CLS
t
CS
t
CLH
t
CH
t
WP
t
ALS
t
ALH
t
DS
t
DH
CE
WE
CLE
ALE
Col. Add1
t
CLS
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CS
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WC
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WP
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DS
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WC
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WP
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DS
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DH
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ALH
t
ALS
t
WH
t
ALH
t
DS
t
DH
t
WP
NOTE
Device
I/O
DATA
ADDRESS
I/Ox
Data In/Out
Col. Add1
Col. Add2
Row Add1
Row Add2
K9F1G08X0B(X8 device)
I/O 0 ~ I/O 7
~2112byte
A0~A7
A8~A11
A12~A19
A20~A27
K9F1G16X0B(X16 device)
I/O 0 ~ I/O 15
~1056word
A0~A7
A8~A10
A11~A18
A19~A26
I/Ox
I/Ox
Col. Add2
Row Add1
Row Add2
相關(guān)PDF資料
PDF描述
K9F1G16U0M-PCB0 1Gb Gb 1.8V NAND Flash Errata
K9F1G16U0M-PIB0 1Gb Gb 1.8V NAND Flash Errata
K9F1G16U0M-YIB0 1Gb Gb 1.8V NAND Flash Errata
K9F1G08Q0M-YCB0 1Gb Gb 1.8V NAND Flash Errata
K9F2808Q0B-DCB0 16M x 8 Bit NAND Flash Memory
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
K9F1G16U0M 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:128M x 8 Bit / 64M x 16 Bit NAND Flash Memory
K9F1G16U0M-PCB0 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:1Gb Gb 1.8V NAND Flash Errata
K9F1G16U0M-PIB0 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:1Gb Gb 1.8V NAND Flash Errata
K9F1G16U0M-YCB0 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:1Gb Gb 1.8V NAND Flash Errata
K9F1G16U0M-YIB0 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:1Gb Gb 1.8V NAND Flash Errata
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