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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | K9F2808Q0B-DCB0 |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | 16M x 8 Bit NAND Flash Memory |
| 中文描述： | 1,600 × 8位NAND閃存 |
| 文件頁數(shù)： | 22/29頁 |
| 文件大?。?/td> | 304K |
| 代理商： | K9F2808Q0B-DCB0 |
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FLASH MEMORY
22
K9F2808U0B-YCB0,YIB0
K9F2808U0B-DCB0,DIB0
K9F2808Q0B-DCB0,DIB0
K9F2808U0B-VCB0,VIB0
BLOCK ERASE OPERATION
(ERASE ONE BLOCK)
MANUFACTURE & DEVICE ID READ OPERATION
CE
CLE
I/O 0 ~ 7
WE
ALE
RE
90h
Read ID Command
Maker Code
Device Code
00h
ECh
Device
Code*
t
REA
Address. 1cycle
CE
CLE
R/B
I/O
0
~
7
WE
ALE
RE
60h
A
17
~ A
23
A
9
~ A
16
Auto Block Erase
Setup Command
Erase Command
Read Status
Command
I/O
0
=1 Error in Erase
DOh
70h
I/O 0
Busy
t
WB
t
BERS
I/O
0
=0 Successful Erase
Page(Row)
Address
t
WC
≈
t
AR1
t
CLR
Device
Device Code*
K9F2808Q0B
33h
K9F2808U0B
73h
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| K9F2808Q0B-DIB0 | 16M x 8 Bit NAND Flash Memory |
| K9F2808U0B-DCB0 | 16M x 8 Bit NAND Flash Memory |
| K9F2808U0B-DIB0 | 16M x 8 Bit NAND Flash Memory |
| K9F2808U0M-YIB0 | 16M x 8 Bit NAND Flash Memory |
| K9F2808U0M-YCB0 | 16M x 8 Bit NAND Flash Memory |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| K9F2808Q0B-DIB0 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:16M x 8 Bit NAND Flash Memory |
| K9F2808Q0C | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:16M x 8 Bit , 8M x 16 Bit NAND Flash Memory |
| K9F2808Q0C-DCB0 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:16M x 8 Bit , 8M x 16 Bit NAND Flash Memory |
| K9F2808Q0C-HCB0 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:16M x 8 Bit NAND Flash Memory |
| K9F2808Q0C-HIB0 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:16M x 8 Bit NAND Flash Memory |
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