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參數(shù)資料
| 型號： | K9F5616Q0C-HCB0 |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | 512Mb/256Mb 1.8V NAND Flash Errata |
| 中文描述： | 512Mb/256Mb 1.8 NAND閃存勘誤表 |
| 文件頁數(shù)： | 20/39頁 |
| 文件大?。?/td> | 655K |
| 代理商： | K9F5616Q0C-HCB0 |
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K9F5616U0C-YCB0,YIB0,PCB0,PIB0
K9F5616U0C-DCB0,DIB0,HCB0,HIB0
FLASH MEMORY
19
K9F5608U0C-YCB0,YIB0,PCB0,PIB0
K9F5608U0C-DCB0,DIB0,HCB0,HIB0
K9F5608Q0C-DCB0,DIB0,HCB0,HIB0
K9F5616Q0C-DCB0,DIB0,HCB0,HIB0
K9F5608U0C-VCB0,VIB0,FCB0,FIB0
CE
WE
CLE
ALE
I/Ox
AO~A7
t
CLS
t
CS
t
WC
t
WP
t
ALS
t
DS
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DH
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ALH
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ALH
* Command Latch Cycle
CE
WE
CLE
ALE
I/Ox
Command
* Address Latch Cycle
t
CLS
t
CS
t
CLH
t
CH
t
WP
t
ALS
t
ALH
t
DS
t
DH
A17~A24
A9~A16
NOTE
: 1. I/O8~15 must be set to "0" during command or address input.
2. I/O8~15 are used only for data bus.
Device
I/O
I/Ox
DATA
Data In/Out
~528byte
~264word
K9F5608X0C(X8 device)
K9F5616X0C(X16 device)
I/O 0 ~ I/O 7
I/O 0 ~ I/O 15
1)
t
CH
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| K9F5616Q0C-HIB0 | 512Mb/256Mb 1.8V NAND Flash Errata |
| K9F5616U0C-DCB0 | 512Mb/256Mb 1.8V NAND Flash Errata |
| K9F5616U0C-DIB0 | 512Mb/256Mb 1.8V NAND Flash Errata |
| K9F5616U0C-HCB0 | 512Mb/256Mb 1.8V NAND Flash Errata |
| K9F5616U0C-HIB0 | 512Mb/256Mb 1.8V NAND Flash Errata |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| K9F5616Q0C-HIB0 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:512Mb/256Mb 1.8V NAND Flash Errata |
| K9F5616U0B-DCB0 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:32M x 8 Bit , 16M x 16 Bit NAND Flash Memory |
| K9F5616U0B-DIB0 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:32M x 8 Bit , 16M x 16 Bit NAND Flash Memory |
| K9F5616U0B-HCB0 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:32M x 8 Bit , 16M x 16 Bit NAND Flash Memory |
| K9F5616U0B-HIB0 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:32M x 8 Bit , 16M x 16 Bit NAND Flash Memory |
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