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參數(shù)資料
| 型號： | K9F5616U0B-DCB0 |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | M1 - VGA W/USB 3 FEET |
| 中文描述： | 32M的× 8位，16米x 16位NAND閃存 |
| 文件頁數(shù)： | 28/34頁 |
| 文件大?。?/td> | 604K |
| 代理商： | K9F5616U0B-DCB0 |
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FLASH MEMORY
28
K9F5616U0B-DCB0,DIB0,HCB0,HIB0
K9F5608U0B-DCB0,DIB0,HCB0,HIB0
K9F5608U0B-YCB0,YIB0,PCB0,PIB0
K9F5616U0B-YCB0,YIB0,PCB0,PIB0
K9F5608U0B-VCB0,VIB0,FCB0,FIB0
Figure 9. Read2 Operation
50h
Data Output(Sequential)
Spare Field
CE
CLE
ALE
R/B
WE
Start Add.(3Cycle)
RE
t
R
X8 device : A
0
~ A
3
& A
9
~ A
24
X16 device : A
0
~ A
2
& A
9
~ A
24
Main array
Data Field
Spare Field
Figure 8-1. Sequential Row Read1 Operation
(only for K9F5608U0B-Y,P and K9F5608U0B-V,F Valid with in a block )
00h
01h
A
0
~ A
7
& A
9
~ A
24
I/Ox
R/B
Start Add.(3Cycle)
Data Output
Data Output
Data Output
1st
2nd
Nth
(528 Byte)
(528 Byte)
t
R
t
R
t
R
≈
(GND input=L, 00h Command)
Data Field
Spare Field
(GND input=L, 01h Command)
Data Field
Spare Field
(GND input=H, 00h Command)
Data Field
Spare Field
1st half array 2nd half array
1st
2nd
Nth
1st half array 2nd half array
1st
2nd
Nth
Block
1st half array 2nd half array
1st
2nd
Nth
X8 device : A
4
~ A
7
Don’t care
X16 device : A
3
~ A
7
are "L"
I/Ox
On K9F5608U0B_Y,P or K9F5608U0B_V,F
CE must be held
low during tR
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| K9F5616U0B-DIB0 | M1 - VGA W/USB 6 FEET |
| K9F5616U0B-HCB0 | M1 - VGA W/USB 10 FEET |
| K9F5616U0B-HIB0 | M1 - VGA W/USB 15 FEET |
| K9F5616U0B-PCB0 | M1 - DVI-D 3 FEET |
| K9F5616U0B-PIB0 | M1 - DVI-D 6 FEET |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| K9F5616U0B-DIB0 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:32M x 8 Bit , 16M x 16 Bit NAND Flash Memory |
| K9F5616U0B-HCB0 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:32M x 8 Bit , 16M x 16 Bit NAND Flash Memory |
| K9F5616U0B-HIB0 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:32M x 8 Bit , 16M x 16 Bit NAND Flash Memory |
| K9F5616U0B-PCB0 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:32M x 8 Bit , 16M x 16 Bit NAND Flash Memory |
| K9F5616U0B-PIB0 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:32M x 8 Bit , 16M x 16 Bit NAND Flash Memory |
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