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參數(shù)資料
| 型號： | K9F5616U0B-HCB0 |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | M1 - VGA W/USB 10 FEET |
| 中文描述： | 32M的× 8位，16米x 16位NAND閃存 |
| 文件頁數(shù)： | 34/34頁 |
| 文件大小： | 604K |
| 代理商： | K9F5616U0B-HCB0 |
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FLASH MEMORY
34
K9F5616U0B-DCB0,DIB0,HCB0,HIB0
K9F5608U0B-DCB0,DIB0,HCB0,HIB0
K9F5608U0B-YCB0,YIB0,PCB0,PIB0
K9F5616U0B-YCB0,YIB0,PCB0,PIB0
K9F5608U0B-VCB0,VIB0,FCB0,FIB0
The device is designed to offer protection from any involuntary program/erase during power-transitions. An internal voltage detector
disables all functions whenever Vcc is below about 1.3V. WP pin provides hardware protection and is recommended to be kept at
V
IL
during power-up and power-down and recovery time of minimum 10
μ
s is required before internal circuit gets ready for any com-
mand sequences as shown in Figure 16. The two step command sequence for program/erase provides additional software protec-
tion.
Figure 16. AC Waveforms for Power Transition
V
CC
WP
High
≈
≈
1.8V device : ~ 1.5V
3.3V device : ~ 2.5V
WE
Data Protection & Powerup sequence
1.8V device : ~ 1.5V
3.3V device : ~ 2.5V
10
μ
s
≈
≈
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| K9F5616U0B-HIB0 | M1 - VGA W/USB 15 FEET |
| K9F5616U0B-PCB0 | M1 - DVI-D 3 FEET |
| K9F5616U0B-PIB0 | M1 - DVI-D 6 FEET |
| K9F5616U0B-YCB0 | M1 - DVI-D 10 FEET |
| K9F5616U0B-YIB0 | M1 - DVI-D 15 FEET |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| K9F5616U0B-HIB0 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:32M x 8 Bit , 16M x 16 Bit NAND Flash Memory |
| K9F5616U0B-PCB0 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:32M x 8 Bit , 16M x 16 Bit NAND Flash Memory |
| K9F5616U0B-PIB0 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:32M x 8 Bit , 16M x 16 Bit NAND Flash Memory |
| K9F5616U0B-YCB0 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:32M x 8 Bit , 16M x 16 Bit NAND Flash Memory |
| K9F5616U0B-YIB0 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:32M x 8 Bit , 16M x 16 Bit NAND Flash Memory |
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