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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | KBE00G003M-D411 |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | NAND 512Mb*2 + Mobile SDRAM 256Mb*2 |
| 中文描述： | NAND閃存的512Mb * 2移動(dòng)SDRAM 256Mb的* 2 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 41/89頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 1238K |
| 代理商： | KBE00G003M-D411 |
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KBE00G003M-D411
MCP MEMORY
July 2005
41
Revision 0.1
Figure 20. Read ID Operation 1
CE
CLE
I/O
0
~
7
ALE
RE
WE
90h
00h
ECh
Address. 1cycle
Maker code
t
CEA
t
AR
t
REA
Read ID
The device contains a product identification mode, initiated by writing 90h to the command register, followed by an address input of
00h. Four read cycles sequentially output the manufacture code(ECh), and the device code*, Reserved(A5h), Multi plane operation
code(C0h) respectively. A5h must be don’t-cared. C0h means that device supports Multi Plane operation but must be don’t-cared for
1.8V device. The command register remains in Read ID mode until further commands are issued to it. Figure 20 shows the operation
sequence.
A5h
C0h
Multi-Plane code
t
WHR
79h
Device code
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
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| KBJ2502 | 25A SINGLE PHASE SILICON BRIDGE RECTIFIER |
| KBJ2503 | 25A SINGLE PHASE SILICON BRIDGE RECTIFIER |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
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| KBE00S003M-D411 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:1Gb NAND*2 + 256Mb Mobile SDRAM*2 |
| KBE00S009M | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:1Gb NAND x 2 + 256Mb Mobile SDRAM x 2 |
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