參數(shù)資料
型號： KBE00G003M
廠商： SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD.
英文描述： NAND 512Mb*2 + Mobile SDRAM 256Mb*2
中文描述： NAND閃存的512Mb * 2移動SDRAM 256Mb的* 2
文件頁數(shù)： 24/89頁
文件大小： 1238K
代理商： KBE00G003M
KBE00G003M-D411
MCP MEMORY
July 2005
24
Revision 0.1
t
OH
t
OH
Read1 Operation
(Read One Page)
CE
CLE
R/B
I/O
0
~
7
WE
ALE
RE
Busy
00h or 01h A
0
~ A
7
A
9
~ A
16
A
17
~ A
24
Dout N
Dout N+1
Dout N+2
Column
Address
Page(Row)
Address
t
WB
t
AR2
t
R
t
RC
t
RHZ
t
RR
t
CHZ
Dout 527
t
WC
≈
≈
≈
A
25,
A
26
Status Read Cycle
CE
WE
CLE
RE
I/O
X
70h
Status Output
t
CLR
t
CLH
t
CS
t
WP
t
CH
t
DS
t
DH
t
REA
t
IR
t
OH
t
OH
t
WHR
t
CEA
t
CLS
t
CHZ
t
RHZ
相關(guān)PDF資料
PDF描述
KBE00G003M-D411 NAND 512Mb*2 + Mobile SDRAM 256Mb*2
KBE00S009M 1Gb NAND x 2 + 256Mb Mobile SDRAM x 2
KBE00S009M-D411 1Gb NAND x 2 + 256Mb Mobile SDRAM x 2
KBJ2501 25A SINGLE PHASE SILICON BRIDGE RECTIFIER
KBJ2502 25A SINGLE PHASE SILICON BRIDGE RECTIFIER
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
KBE00G003M-D411 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:NAND 512Mb*2 + Mobile SDRAM 256Mb*2
KBE00S003M 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:1Gb NAND*2 + 256Mb Mobile SDRAM*2
KBE00S003M-D411 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:1Gb NAND*2 + 256Mb Mobile SDRAM*2
KBE00S009M 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:1Gb NAND x 2 + 256Mb Mobile SDRAM x 2
KBE00S009M-D411 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:1Gb NAND x 2 + 256Mb Mobile SDRAM x 2
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