參數(shù)資料
型號: KBE00S009M-D411
廠商: SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD.
英文描述: 1Gb NAND x 2 + 256Mb Mobile SDRAM x 2
中文描述: 1Gb的NAND × 2 256Mb的移動SDRAM × 2
文件頁數(shù): 78/86頁
文件大小: 1898K
代理商: KBE00S009M-D411
MCP MEMORY
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KBE00S009M-D411
Revision 1.0
May 2005
0
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CKE
CS
RAS
CAS
BA1
A10/AP
ADDR
WE
: Don’t care
CLOCK
Clock Suspension & DQM Operation Cycle @CAS Latency=2, Burst Length=4
Ra
Row Active
Read
Write
DQM
*NOTE:
1. DQM is needed to prevent bus contention.
BA0
DQM
DQ
*Note 1
Ca
Qb0
Qb1
Dc0
Dc2
Clock
Suspension
Write
Cb
Ra
t
SHZ
t
SHZ
Read
Clock
Suspension
Write
DQM
Read DQM
Qa1
Qa2
Qa3
Qa0
Cc
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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KBJ2502 25A SINGLE PHASE SILICON BRIDGE RECTIFIER
KBJ2503 25A SINGLE PHASE SILICON BRIDGE RECTIFIER
KBJ2504 25A SINGLE PHASE SILICON BRIDGE RECTIFIER
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參數(shù)描述
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