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參數(shù)資料
| 型號： | KDS160E |
| 廠商： | KEC Holdings |
| 英文描述： | SILICON EPITAXIAL PLANAR DIODE |
| 中文描述： | 硅平面二極管外延 |
| 文件頁數(shù)： | 2/2頁 |
| 文件大?。?/td> | 82K |
| 代理商： | KDS160E |
2001. 12. 13
2/2
KDS160E
Revision No : 3
1
0.1
REVERSE VOLTAGE V (R)
R
C - V
R
μ
A
R
10
0
REVERSE VOLTAGE V (V)
T
0
I - V
I - V
FORWARD VOLTAGE V (V)
0
F
10
F
F
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
-2
-1
10
2
10
3
10
10
1
T=0 C
T=5C
R
20
40
60
80
-3
-2
10
-1
10
1
10
Ta=100 C
Ta=75 C
Ta=50 C
Ta=25 C
T
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
3
10
30
100
f=1MHz
Ta=25 C
t - I
rr
FORWARD CURRENT I (mA)
0.1
0.5
r
R
F
0.3
1
3
10
30
100
1
3
5
10
30
50
100
Ta=25 C
Fig. 1
0.3
Fig. 1. REVERSE RECOVERY TIME(t ) TEST CIRCUIT
5
2
E
5
INPUT
WAVEFORM
INPUT
0.01
μ
F
DUT
OUTPUT
SAMPLING
OSCILLOSCOPE
(R =50
)
WAVEFORM
0.1 I
R
0
I
R
I =10mA
rr
t
PULSE GENERATOR
(R =50
)
50ns
-6V
0
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| KDS160 | SILICON EPITAXIAL PLANAR TYPE DIODE (ULTRA HIGH SPEED SWITCHING) |
| KDS181 | SILICON EPITAXIAL PLANAR DIODE (ULTRA HIGH SPEED SWITCHING) |
| KDS184 | SILICON EPITAXIAL PLANAR DIODE (ULTRA HIGH SPEED SWITCHING) |
| KDS190 | SILICON EPITAXIAL PLANAR DIODE (ULTRA HIGH SPEED SWITCHING) |
| KDS193 | SILICON EPITAXIAL PLANAR DIODE (ULTRA HIGH SPEED SWITCHING) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| KDS160E_03 | 制造商:KEC 制造商全稱:KEC(Korea Electronics) 功能描述:SILICON EPITAXIAL PLANAR DIODE |
| KDS160E_05 | 制造商:KEC 制造商全稱:KEC(Korea Electronics) 功能描述:ESC PACKAGE |
| KDS160F | 制造商:KEC 制造商全稱:KEC(Korea Electronics) 功能描述:TFSC PACKAGE |
| KDS160V | 制造商:KEC 制造商全稱:KEC(Korea Electronics) 功能描述:VSC PACKAGE |
| KDS16112BT | 制造商:Apex Tool Group 功能描述:16 GAUGE X 1 1/2 IN. THREADED HUB DISPENSING NEEDLE |
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