參數(shù)資料
型號： KDV287E
廠商： KEC Holdings
英文描述： VARIABLE CAPACITANCE DIODE SILICON EPITAXIAL PLANAR DIODE(UHF SHF TUNING)
中文描述： 變?nèi)荻O管外延硅平面二極管（超高頻超高頻調(diào)諧）
文件頁數(shù)： 1/1頁
文件大小： 62K
代理商： KDV287E
2000. 3. 24
1/1
SEMICONDUCTOR
TECHNICAL DATA
KDV287E
Revision No : 0
UHF SHF TUNING.
FEATURES
High Capacitance Ratio : C2V/C25V=7.6(Typ.)
Low Series Resistance : r
S
=1.9
(Typ.)
Excellent C-V Characteristics, and Small Tracking Error.
Useful for Small Size Tuner.
MAXIMUM RATING (Ta=25
)
ESC
DIM
A
B
C
D
E
F
MILLIMETERS
1.60 0.10
1.20 0.10
0.80 0.10
0.30 0.05
0.60 0.10
0.13 0.05
+
C
D
C
B
A
1
2
E
1. ANODE
2. CATHODE
F
+
+
+
+
+
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta=25
)
VARIABLE CAPACITANCE DIODE
SILICON EPITAXIAL PLANAR DIODE
Type Name
Marking
P
U
CHARACTERISTIC
SYMBOL
RATING
UNIT
Reverse Voltage
V
R
30
V
Peak Reverse Voltage
V
RM
35(R
L
=10k
)
V
Junction Temperature
T
j
125
Storage Temperature Range
T
stg
-55
125
CHARACTERISTIC
SYMBOL
TEST CONDITION
MIN.
TYP.
MAX.
UNIT
Reverse Voltage
V
R
I
R
=1
A
30
-
-
V
Reverse Current
I
R
V
R
=28V
-
-
10
nA
Capacitance
C
2V
V
R
=2V, f=1MHz
4.2
-
5.7
pF
Capacitance
C
25V
V
R
=25V, f=1MHz
0.53
-
0.68
pF
Capacitance Ratio
C
2V
/C
25V
7.3
-
-
-
Series Resistance
r
S
V
R
=5V, f=470MHz
-
1.9
2.3
Note : Available in matched group for capacitance to 6%.
C(Max.)-C(Min.)
C(Min.)
0.06
(V
R
=2~25V)
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PDF描述
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