參數(shù)資料
型號(hào): KDZ9.1EV
廠商: KEC Holdings
元件分類(lèi): 參考電壓二極管
英文描述: surface mount silicon Zener diodes
中文描述: 硅表面貼裝齊納二極管
文件頁(yè)數(shù): 3/3頁(yè)
文件大小: 96K
代理商: KDZ9.1EV
2001. 2. 5
3/3
KDZ2.0EV~24EV
Revision No : 1
P
d
Z
Z
ZENER VOLTAGE V (V)
AMBIENT TEMPERATURE Ta ( C)
I - V
Z
P - Ta
0
0
50
100
150
200
8
0
4
2
4
6
8
K
K
10
12
16
20
K
K
K
K
K
K
K
24
28
K
0
K
K
K
K
K
K
K
K
K
K
K
50
100
150
200
* MOUNTED ON A GLASS
EPOXY CIRCUIT BOARD
OF 20
x
20mm
PAD DIMENSION
OF 4
x
4mm
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PDF描述
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參數(shù)描述
KDZ91V 制造商:KEC 制造商全稱:KEC(Korea Electronics) 功能描述:ZENER DIODE SILICON EPITAXIAL PLANAR DIODE(CONSTANT VOLTAGE REGULATION, REFERENCE VOLTAGE)
KDZ93V 制造商:KEC 制造商全稱:KEC(Korea Electronics) 功能描述:ZENER DIODE CONSTANT VOLTAGE REGULATION APPLICATION
KDZTR10B 功能描述:穩(wěn)壓二極管 10V RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齊納電壓:12 V 電壓容差:5 % 電壓溫度系數(shù):0.075 % / K 齊納電流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄電流:3 uA 最大齊納阻抗:7 Ohms 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-214AC 封裝:Reel
KDZTR11B 功能描述:穩(wěn)壓二極管 11 to 12.3V; 20mA 1000mW RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齊納電壓:12 V 電壓容差:5 % 電壓溫度系數(shù):0.075 % / K 齊納電流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄電流:3 uA 最大齊納阻抗:7 Ohms 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-214AC 封裝:Reel
KDZTR12B 功能描述:穩(wěn)壓二極管 12 to 13.5V; 20mA 1000mW RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齊納電壓:12 V 電壓容差:5 % 電壓溫度系數(shù):0.075 % / K 齊納電流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄電流:3 uA 最大齊納阻抗:7 Ohms 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-214AC 封裝:Reel