參數(shù)資料
型號(hào)： KFG5616Q1M-DEB
廠商： SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD.
英文描述： OneNAND256
中文描述： OneNAND256
文件頁(yè)數(shù)： 64/93頁(yè)
文件大?。?/td> 1223K
代理商： KFG5616Q1M-DEB
OneNAND256
FLASH MEMORY
64
8.14 Data Protection during Power Down
The device is designed to offer protection from any involuntary program/erase during power-transitions. An internal voltage detector
disables all functions whenever Vcc is below about 1.3V. RP pin provides hardware protection and is recommended to be kept at V
IL
before power-down.
Figure 24. Data Protection during Power Down
V
CC
RP
NAND Write
Protected
Idle
One NAND Reset
INT
OneNAND
Operation
typ. 1.3V
0V
相關(guān)PDF資料
PDF描述
KFG5616U1M-DIB OneNAND256
KFM110 SPECIFICATIONS FOR SAW FILTER(BAND PASS FILTERS FOR THR IF CIRCUITS OF CORDLESS PHONE)
KFM1216Q2M FLASH MEMORY
KFM1216Q2M-DEB FLASH MEMORY
KFM1216Q2M-DED FLASH MEMORY
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
KFG5616U1A-DIB 制造商:Samsung Semiconductor 功能描述:
KFG5616U1A-DIB5 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:OneNAND Specification FLASH MEMORY
KFG5616U1A-DIB5000 制造商:Samsung Semiconductor 功能描述:256MNOFLASHADE-MUXED SLC W/X16(7X9) - Bulk
KFG5616U1A-DIB6 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:OneNAND Specification FLASH MEMORY
KFG5616U1A-PIB5 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:OneNAND Specification FLASH MEMORY
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